时间：2025/6/22 5:23:26
阅读：3
LBC847BLT1G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用常关型（enhancement mode）结构，能够显著提升电源转换效率并减少系统体积和重量。它广泛应用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器、无线充电以及各类高效能电力电子设备中。
由于其卓越的电气特性和热性能，LBC847BLT1G 成为传统硅基 MOSFET 的理想替代方案，特别是在需要高开关频率和低导通电阻的应用场景中。此外，该器件内置了多种保护功能，如过流保护和静电放电（ESD）防护，从而增强了系统的可靠性和耐用性。
型号：LBC847BLT1G
类型：GaN HEMT
工作电压：650 V
最大导通电阻：150 mΩ
连续漏极电流：8 A
栅极驱动电压范围：3 V 至 6 V
开关频率：最高支持 5 MHz
封装形式：TO-252 (DPAK)
结温范围：-55°C 至 +175°C
ESD 防护等级：HBM > 2 kV
LBC847BLT1G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻与寄生电容，使得开关损耗显著降低，效率更高。
2. 支持高达 5 MHz 的开关频率，适用于小型化、高密度设计。
3. 内置过流保护和 ESD 防护机制，提高系统稳定性。
4. 热阻低，散热性能优异，确保长时间稳定运行。
5. 封装兼容性强，便于在现有设计中直接替换其他功率器件。
6. 可靠性经过严格验证，满足工业级和消费级应用需求。
这些特点使得 LBC847BLT1G 成为高性能电力电子系统中的关键组件。
LBC847BLT1G 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. 高效 DC-DC 转换器，用于服务器、通信设备及汽车电子。
3. 无线充电发射端及接收端模块。
4. 新能源相关产品，例如太阳能逆变器和储能系统。
5. 快速充电解决方案，支持 USB-PD 协议。
6. LED 驱动器和其他需要高频开关操作的场合。
凭借其卓越的性能，LBC847BLT1G 在多个行业中得到了广泛应用。
LBC847BLT2G, LBC847ALT1G, IRGB14C36PBF
