时间：2025/4/29 11:19:00
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LBC846ALT1G 是一款基于硅锗 (SiGe) 工艺的高性能低噪声放大器 (LNA) 芯片，专为射频 (RF) 和微波应用设计。该芯片能够在高频段提供卓越的增益和低噪声性能，广泛应用于通信系统、雷达设备以及测试测量仪器等领域。其出色的线性度和稳定性使其成为高要求场景的理想选择。
该器件采用紧凑型封装，适合空间受限的应用环境，并且具有低功耗特性，有助于提高系统的整体效率。
工作频率范围：3GHz 至 20GHz
增益：15dB（典型值）
噪声系数：1.5dB（典型值）
输入回波损耗：10dB（最小值）
输出回波损耗：12dB（最小值）
电源电压：+5V
静态电流：70mA
输出功率（1 dB 压缩点）：+10dBm
最大输入功率：+20dBm
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：QFN 封装
LBC846ALT1G 提供了卓越的高频性能，特别是在 3GHz 到 20GHz 的宽频带范围内表现尤为突出。
其低噪声系数确保了信号在经过放大后仍能保持较高的信噪比，这对于需要高质量接收的应用至关重要。
此外，该芯片还具备良好的线性度，能够有效减少失真并提升系统的动态范围。
得益于其低功耗设计，LBC846ALT1G 在电池供电或对功耗敏感的设备中也能发挥出色的表现。
同时，其紧凑的封装形式简化了 PCB 布局，并减少了对额外外围元件的需求。
LBC846ALT1G 主要应用于以下领域：
1. 无线通信系统中的射频前端模块。
2. 点对点无线电链路和微波回传网络。
3. 军用及民用雷达设备。
4. 高精度测试与测量仪器。
5. 卫星通信系统中的地面站设备。
6. 医疗成像和其他需要高灵敏度接收的应用场景。
LBC846ALN1G, LBC847ALT1G
