类型：NPN晶体管阵列
　　配置：双晶体管（共发射极）
　　最大集电极电流（Ic）：100mA（每个晶体管）
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在2mA集电极电流下为110（最小值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23-5

LBC817-25WT1G IC内置两个NPN晶体管，共享一个公共发射极，使得该器件在需要双晶体管配置的设计中非常实用。该器件的每个晶体管都具有较高的电流放大系数（hFE），确保了良好的信号放大性能。晶体管之间的电气特性匹配良好，适用于需要对称性高的应用，如差分放大器或推挽式输出级。该IC的SOT-23-5封装体积小，便于在高密度印刷电路板（PCB）上安装，同时也有助于降低寄生电容和电感，提高高频响应。此外，该器件的低功耗设计和宽工作温度范围使其适用于各种工业和消费类电子产品。
　　该器件的另一个重要特性是其高可靠性，能够在恶劣环境下稳定工作，适合汽车电子、工业控制和通信设备等要求较高的应用场景。LBC817-25WT1G IC的高频率响应能力使其适用于开关和放大电路中的高速操作。

LBC817-25WT1G 广泛应用于需要双晶体管配置的电路中，如差分放大器、推挽放大器、逻辑电平转换、开关电路以及数字逻辑电路中的缓冲器。由于其高集成度和小封装，该IC也常用于便携式设备和嵌入式系统中，以减少电路板空间占用。在工业控制领域，该器件可用于传感器接口电路、电机驱动电路和继电器控制电路。在通信设备中，LBC817-25WT1G 可用于射频（RF）信号放大和处理电路。此外，它还可用于LED驱动、电源管理模块以及各种模拟和数字混合信号电路。

LBC847-25W、LBC817-25W、LBC817-25WT1、LBC817-25WU