LBB120S 时间：2025/12/26 20:36:53 阅读：20

LBB120S是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的高性能、低功耗的射频功率晶体管，专为高效率的广播发射应用而设计。该器件属于LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）技术平台产品线，广泛应用于FM广播、DAB（数字音频广播）以及ISM频段中的高功率放大器系统中。LBB120S能够在VHF频段内提供出色的线性度和功率增益，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适合在连续波（CW）和调制信号条件下长时间运行。其封装采用先进的陶瓷封装技术，确保了优异的散热性能和机械稳定性，适用于工业级和严苛环境下的工作条件。该器件通常用于50Ω系统的匹配设计，能够简化外围电路布局并提升整体系统效率。由于其高度集成的设计和经过优化的内部阻抗匹配网络，LBB120S在减少外部元件数量的同时，仍能保持卓越的射频性能。

参数

类型：N通道增强型LDMOS射频功率晶体管
　　最大漏极电压（VDSS）：125 V
　　最大栅极-源极电压（VGSS）：±20 V
　　最大漏极电流（ID）：30 A
　　最大功耗（PD）：1200 W
　　工作温度范围（Tc）：-40°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +175°C
　　增益（Gain）：典型值24 dB @ 100 MHz, 125 V, 50 W输出功率
　　输出功率（Pout）：典型值120 W连续波输出
　　频率范围：30 MHz 至 500 MHz
　　输入回波损耗：典型值 >10 dB
　　输出回波损耗：典型值 >12 dB
　　封装形式：Ceramic Package (类似SOT509或类似陶瓷法兰封装)
　　阻抗匹配：内部输入匹配，外部输出匹配推荐

特性

LBB120S采用了先进的LDMOS工艺技术，具有高击穿电压和低导通电阻的特点，使其在高频大功率应用中表现出色。其核心优势之一是具备非常高的功率附加效率（PAE），这显著降低了能源消耗和散热需求，对于需要长时间连续运行的广播发射机而言至关重要。器件的栅极结构经过优化设计，提升了跨导线性度，从而改善了三阶交调点（IP3）性能，在多载波和复杂调制信号环境下也能维持良好的信号保真度。此外，该器件在全工作温度范围内展现出稳定的增益响应和相位一致性，有助于简化自动电平控制（ALC）环路的设计。
　　LBB120S内置了部分输入匹配网络，减少了客户在高频段进行精细调谐的工作量，并提高了生产一致性。其陶瓷封装不仅提供了优异的热传导路径，还增强了器件对湿度、振动和热循环等恶劣环境的耐受能力。封装底部为金属焊盘，可直接安装于散热器或射频接地平面，实现高效的热管理。该器件符合RoHS环保标准，且通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HTRB）、高温栅极应力（HTGS）和功率循环试验，确保在关键任务系统中的长期可靠运行。
　　在实际应用中，LBB120S常被配置为AB类放大器工作模式，兼顾效率与线性性能。其宽广的频率覆盖范围允许它灵活应用于不同地区的FM广播频段（如88–108 MHz）以及DAB系统（约174–240 MHz）。由于其高输入阻抗特性，驱动级可以使用较低功率的前级放大器，从而降低系统整体成本和复杂性。NXP还为该器件提供了详细的参考设计、SPICE模型和热仿真数据，帮助工程师快速完成原型开发和量产导入。

应用

LBB120S主要用于商业和公共广播基础设施中的射频功率放大阶段，特别是在FM立体声广播发射机中作为末级或中间级放大器使用。它同样适用于数字音频广播（DAB/DAB+）系统，支持高数据率的音频传输，并保证在城市和郊区环境中实现清晰、稳定的信号覆盖。此外，该器件也可用于工业、科学和医疗（ISM）频段内的专用无线电设备，例如短波通信中继站、应急通信系统和高功率测量仪器。在科研领域，LBB120S被用于构建高精度信号发生装置和电磁兼容性（EMC）测试用的功率放大模块。由于其出色的热稳定性和长期运行可靠性，该器件也常见于无人值守的远程发射站点，配合风冷或水冷散热系统实现全天候运行。在大型体育场馆、交通枢纽和城市公共广播系统中，多个LBB120S器件可通过合路技术并联使用，以达到数百瓦甚至千瓦级别的总输出功率，满足广域覆盖的需求。