LBAV99WT 时间：2025/8/13 1:36:10 阅读：5

LBAV99WT 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的双通用硅开关二极管阵列，适用于高速开关和信号处理应用。该器件采用SOT-23小型封装，适合用于通信设备、消费电子产品和工业控制系统等对空间和功耗要求较高的场合。

参数

型号：LBAV99WT
　　类型：双开关二极管（Dual Switching Diode）
　　封装形式：SOT-23（TO-236）
　　最大正向电流（IF）：300 mA
　　最大反向电压（VR）：100 V
　　正向压降（VF）：1.25 V @ 10 mA
　　反向漏电流（IR）：100 nA @ 100 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

特性

LBAV99WT 采用双二极管结构，可在高频开关应用中提供稳定性能。其最大正向电流为300 mA，反向电压耐受能力高达100 V，适合用于中等功率的开关电路。该器件的正向压降为1.25 V，在10 mA电流下表现出良好的导通性能。
　　封装方面，LBAV99WT 使用 SOT-23 小型封装，节省 PCB 空间，便于表面贴装工艺（SMT）组装。其工作温度范围广泛，从 -55°C 到 +150°C，适用于工业级环境和高可靠性应用。
　　此外，LBAV99WT 具有低漏电流特性，在100 V反向电压下漏电流仅为100 nA，确保在高温和高电压条件下仍能保持稳定运行。这使其适用于电源管理、信号切换、电压钳位和逻辑电平转换等多种电路设计场景。

应用

LBAV99WT 常用于通信设备中的信号切换和隔离电路，例如在射频前端模块中作为开关控制元件。它也广泛应用于消费类电子产品，如智能手机和平板电脑中的电源管理电路，以实现高效能和低功耗设计。
　　在工业控制系统中，LBAV99WT 可用于继电器驱动电路、逻辑电平转换和电压钳位保护。此外，该器件也可用于LED背光驱动、电池充电电路和DC-DC转换器中的整流部分。
　　由于其高频响应和低漏电流特性，LBAV99WT 还适合用于高速数据通信接口中的信号整流和保护电路，如USB和HDMI端口的ESD保护和信号路径控制。