类型：硅二极管
　　二极管配置：双二极管（共阴极）
　　最大正向电流（IF）：300 mA
　　峰值反向电压（VR）：75 V
　　正向电压降（VF）：1.25 V（最大值，@ 150 mA）
　　反向漏电流（IR）：100 nA（最大值，@ 75 V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（表面贴装）

LBAV99LT1G 具备一系列显著的电气和物理特性，使其在多种电路设计中具有广泛的适用性。
　　首先，该器件采用硅制造工艺，确保了稳定的电气性能和较高的温度耐受能力。其双二极管结构设计（共阴极）允许在单个封装中实现两个独立的二极管功能，从而节省PCB空间并简化电路布局。
　　其次，LBAV99LT1G 的最大正向电流为300 mA，适用于中等功率应用。同时，其正向电压降在150 mA时最大为1.25 V，确保了较低的功耗和高效的能量转换。此外，该器件的反向恢复时间较短，能够在高频开关应用中表现出色，减少开关损耗。
　　再者，该二极管具备75 V的峰值反向电压能力，适用于中等电压保护和整流应用。其封装为SOT-23，属于小型表面贴装封装，便于自动化生产并提高电路板的空间利用率。
　　最后，LBAV99LT1G 的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级环境和高温应用，表现出良好的热稳定性和可靠性。

LBAV99LT1G 主要用于以下类型的电子设备和系统中：
　　在电源管理电路中，可用于整流、电压钳位和反向极性保护；
　　在通信设备中，用于信号整流、检波和隔离电路；
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，用于电池保护和充电控制电路；
　　在工业控制系统中，用于继电器驱动、反激保护和逻辑电平转换；
　　在汽车电子系统中，用于车载充电器、LED照明控制和传感器信号调理电路；
　　此外，该器件也常用于通用逻辑电路中的电平隔离和信号切换。

BAV99LT1G, BAV99W, 1N4148W, MMBD914LT1G