LBAV70WT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的高频、高效率开关电源用的 N 沟道功率 MOSFET。这款 MOSFET 主要用于需要低导通电阻和快速开关特性的应用场合,例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器、开关模式电源(SMPS)、电机驱动器等。其采用 TO-263 封装形式,具有良好的散热性能。
该器件具备较低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗,从而提高整体系统效率。此外,它还拥有较高的雪崩耐量能力,能够在异常情况下保护电路。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:7A
导通电阻(Rds(on)):4.5Ω
栅极电荷:18nC
输入电容:930pF
总功耗:113W
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-263
LBAV70WT1G 的主要特性包括:
1. 高击穿电压 (650V),适用于高压环境下的开关应用。
2. 极低的导通电阻 (4.5Ω),可以显著降低导通状态下的功率损耗。
3. 快速开关速度,能够支持高频操作,适合现代高效能开关电源设计。
4. 高雪崩能量能力,确保在瞬态过压条件下具有更好的鲁棒性和可靠性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际规范要求。
6. 支持表面贴装工艺 (SMD),简化生产流程并提升装配效率。
LBAV70WT1G 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS),包括适配器、充电器和工业电源。
2. LED 驱动器及照明控制模块。
3. 电信设备中的电源管理单元。
4. 各类电机驱动和控制电路。
5. 电磁阀和其他需要高频切换的应用场景。
由于其出色的电气特性和热性能,该器件非常适合对效率和可靠性有严格要求的电力电子设计。
LBAV70N65P3, LBAV70N65P3G