LBAV70WT1G 时间：2025/6/5 23:38:05 阅读：27

LBAV70WT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的高频、高效率开关电源用的 N 沟道功率 MOSFET。这款 MOSFET 主要用于需要低导通电阻和快速开关特性的应用场合，例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器、开关模式电源（SMPS）、电机驱动器等。其采用 TO-263 封装形式，具有良好的散热性能。
　　该器件具备较低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，从而提高整体系统效率。此外，它还拥有较高的雪崩耐量能力，能够在异常情况下保护电路。

参数

最大漏源电压：650V
　　连续漏极电流：7A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5Ω
　　栅极电荷：18nC
　　输入电容：930pF
　　总功耗：113W
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TO-263

特性

LBAV70WT1G 的主要特性包括：
　　1. 高击穿电压 (650V)，适用于高压环境下的开关应用。
　　2. 极低的导通电阻 (4.5Ω)，可以显著降低导通状态下的功率损耗。
　　3. 快速开关速度，能够支持高频操作，适合现代高效能开关电源设计。
　　4. 高雪崩能量能力，确保在瞬态过压条件下具有更好的鲁棒性和可靠性。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际规范要求。
　　6. 支持表面贴装工艺 (SMD)，简化生产流程并提升装配效率。

应用

LBAV70WT1G 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS)，包括适配器、充电器和工业电源。
　　2. LED 驱动器及照明控制模块。
　　3. 电信设备中的电源管理单元。
　　4. 各类电机驱动和控制电路。
　　5. 电磁阀和其他需要高频切换的应用场景。
　　由于其出色的电气特性和热性能，该器件非常适合对效率和可靠性有严格要求的电力电子设计。