LBAT54SWT1G 时间：2025/6/14 11:18:31 阅读：4

LBAT54SWT1G 是一款基于硅技术制造的瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，专为保护电子设备免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他瞬态过压事件的影响而设计。该器件具有低电容和快速响应时间的特点，非常适合高速数据线和信号线的保护。它通常用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制系统的接口保护。

参数

工作电压：5.8V
　　峰值脉冲功率：600W（@tp=10/1000μs）
　　最大反向工作电压：5.8V
　　击穿电压：6.8V
　　箝位电压：12.8V
　　结电容：15pF（典型值）
　　响应时间：≤1ns
　　漏电流：±1μA（@VRWM）
　　封装形式：SOT-23

特性

LBAT54SWT1G 提供了卓越的瞬态电压保护能力，其关键特性包括：
　　1. 快速响应时间（≤1ns），能够迅速抑制瞬态过压。
　　2. 低结电容（15pF 典型值），使其适用于高速数据线路的保护，如 USB、HDMI 和其他高频信号线。
　　3. 高度集成的多通道保护设计，减少了电路板空间占用。
　　4. 符合 AEC-Q101 标准，确保在汽车等严苛环境中的可靠性。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保无铅。
　　6. 能够承受多次重复的 ESD 冲击而不损坏，提供长期稳定的保护性能。

应用

LBAT54SWT1G 广泛应用于以下领域：
　　1. 消费类电子产品中的 USB、HDMI 和 DisplayPort 接口保护。
　　2. 工业自动化设备中 RS-232、RS-485 和 CAN 总线的保护。
　　3. 汽车电子系统中 CAN/LIN 总线及传感器接口的保护。
　　4. 移动通信设备中天线端口和射频接口的保护。
　　5. 医疗设备中敏感信号输入输出端口的保护。