时间：2025/8/13 5:54:49
阅读：4
LBAT54HT1G JV 是一款由ON Semiconductor生产的双路双极型晶体管（BJT）阵列，主要用于需要高频率和低噪声放大的应用场合。该器件包含两个独立的NPN晶体管，封装在小型SOT-23-6封装中，非常适合高密度PCB设计。其高频性能和低功耗特性使其成为无线通信、射频放大器和开关电路中的常用元件。
类型：双NPN晶体管
封装类型：SOT-23-6
最大集电极电流（IC）：100 mA
最大集电极-发射极电压（VCE）：30 V
最大集电极-基极电压（VCB）：30 V
最大功耗：300 mW
工作温度范围：-55°C至150°C
增益（hFE）：110-800（根据电流不同）
过渡频率（fT）：250 MHz
LBAT54HT1G JV 是一款高性能双NPN晶体管阵列，具有优异的高频响应和低噪声特性，适用于射频和模拟信号处理应用。每个晶体管都有独立的引脚，允许灵活的电路设计配置。该器件的SOT-23-6封装提供了紧凑的布局，适合空间受限的设计，同时确保了良好的热性能。晶体管具有较高的电流增益（hFE），可以在低电流下保持稳定放大性能，使其适用于低噪声前置放大器设计。此外，其较高的过渡频率（fT）支持在高频电路中使用，如射频放大器和混频器。
该器件的制造工艺确保了稳定的电气性能，并且在宽温度范围内保持可靠工作，从-55°C到150°C，适用于工业级应用。其低功耗特性也使其非常适合电池供电设备和便携式电子产品。
LBAT54HT1G JV 常用于射频放大器、低噪声前置放大器、模拟开关、振荡器、混频器等高频电路设计中。它也适用于需要高增益和低功耗的便携式电子设备，如无线通信模块、蓝牙设备、射频识别（RFID）系统、无线传感器网络和消费类电子设备中的信号处理电路。
BC847N, BC857, 2N3904, MMBT3904, 2N4401
