LBAT54ALT1H 时间：2025/8/13 5:02:37 阅读：18

LBAT54ALT1H 是一款由 ON Semiconductor 生产的双通道、低压降、双电源供电的通用二极管阵列。该器件由两个独立的二极管组成，适用于多种应用场合，如信号隔离、电压隔离、电平转换等。该器件采用 SOT-23 封装，适用于便携式电子设备和高密度 PCB 设计。LBAT54ALT1H 的设计优化了低漏电流和快速开关性能，适合在高频应用中使用。

参数

类型：双二极管阵列
　　最大重复反向电压（VRM）：30V
　　最大平均正向电流（IF(AV)）：300mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：2A
　　最大反向漏电流（IR）：100nA（@ VR=30V）
　　正向压降（VF）：0.35V（@ IF=10mA）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

LBAT54ALT1H 的主要特性之一是其低正向压降（VF），这使得器件在低电压和低功耗应用中表现优异。该器件的最大正向压降仅为 0.35V，在 10mA 的正向电流下，能够显著减少功率损耗。
　　其次，LBAT54ALT1H 提供了较低的反向漏电流（IR），最大仅为 100nA，这在高阻抗电路和信号隔离应用中非常关键，有助于维持电路的稳定性和精度。
　　此外，该器件支持高达 300mA 的平均正向电流和 2A 的峰值浪涌电流，使其能够承受一定的瞬态电流冲击，适用于需要短时间高电流的场合。
　　由于其采用 SOT-23 小型封装，LBAT54ALT1H 非常适合用于空间受限的设计，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品。该封装也提供了良好的热性能，能够在较高的工作温度下稳定运行。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，使其能够在广泛的环境条件下可靠运行，包括工业级和汽车级应用。

应用

LBAT54ALT1H 广泛应用于多种电子系统中，特别是在需要信号隔离、电压隔离和电平转换的场合。
　　一个典型的应用是作为逻辑电平转换器，用于不同电压域之间的信号传输。例如，在微控制器和外围设备之间存在电压不匹配时，LBAT54ALT1H 可以帮助实现双向信号传输，同时防止电流反向流动。
　　此外，该器件也可用于电源管理电路中，如电池供电设备中的反向电流保护。由于其低漏电流特性，LBAT54ALT1H 可以有效防止在系统关闭或低功耗模式下电池能量的损耗。
　　在射频（RF）和高频电路中，LBAT54ALT1H 可作为隔离二极管，用于防止信号反射和干扰，从而提升系统性能。
　　其他应用包括：LED 驱动电路中的电流隔离、保护电路中的反向电压保护、数据通信接口中的信号隔离等。