LBAS70ST1G是一款由ON Semiconductor生产的高频小信号双极型晶体管(BJT),适用于各种高频放大和开关应用。该晶体管采用先进的硅外延平面技术,具有优异的高频性能和可靠性。LBAS70ST1G属于NPN型晶体管,通常用于射频(RF)和中频(IF)放大器、混频器、振荡器以及高速开关电路中。该器件采用SOT-23封装,体积小巧,适合高密度PCB布局。
晶体管类型:NPN
最大集电极-发射极电压(Vce):30V
最大集电极电流(Ic):100mA
最大功耗(Ptot):300mW
过渡频率(fT):100MHz
电流增益(hFE):110-800(根据工作电流和等级不同)
封装类型:SOT-23
LBAS70ST1G具有多项显著的技术特性,使其在高频模拟和开关电路中表现出色。首先,该晶体管的过渡频率(fT)高达100MHz,使其在射频和中频放大器中具有良好的响应特性。其次,LBAS70ST1G的电流增益范围较宽,从110到800,可根据不同的工作电流和偏置条件进行调整,满足多种应用需求。此外,该晶体管的集电极-发射极饱和电压较低,有助于提高电路的效率并减少功率损耗。
在封装方面,LBAS70ST1G采用标准的SOT-23封装,这种小型封装不仅节省空间,还具有良好的热稳定性和机械强度,适合在自动化装配线上使用。该器件的工作温度范围广泛,通常为-55°C至+150°C,适用于工业和汽车电子等严苛环境下的应用。
另外,LBAS70ST1G还具备良好的线性度和低噪声性能,使其在低电平信号放大中表现优异。这在通信系统、传感器接口和音频前置放大器中尤为重要。同时,其快速开关特性也使其适用于数字逻辑电路和高速脉冲放大电路。
LBAS70ST1G广泛应用于多个领域,包括通信设备、消费电子产品、工业控制和汽车电子等。在无线通信系统中,它常用于射频前端放大器、混频器和本地振荡器电路中。在音频设备中,该晶体管可用于前置放大器和信号调节电路,提供高保真信号放大。此外,LBAS70ST1G也适用于高速开关电路、逻辑门电路和驱动器电路,常用于电源管理、马达控制和传感器信号处理等场景。
在汽车电子领域,LBAS70ST1G可用于车载收音机、导航系统和远程信息处理模块中的高频信号处理和放大。由于其宽工作温度范围和高可靠性,该器件也适合用于发动机控制单元(ECU)和车身电子模块中的信号调理和驱动电路。
BC847系列
2N3904
MMBT3904
2SC3356