您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > LBAS516SLT1G

LBAS516SLT1G 发布时间 时间:2025/8/13 5:08:57 查看 阅读:8

LBAS516SLT1G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于NPN类型。这款晶体管设计用于高频和中等功率的应用,例如在射频(RF)放大器、开关电路和音频放大器中。其封装形式为SOT-23,便于在小型化电子设备中使用。由于其高增益特性和良好的频率响应,LBAS516SLT1G广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及工业控制电路中。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流:100 mA
  最大集电极-发射极电压:50 V
  最大基极电流:5 mA
  最大功耗:300 mW
  最大工作温度:150°C
  增益带宽积:100 MHz
  电流增益(hFE):110-800(取决于测试条件)
  封装类型:SOT-23

特性

LBAS516SLT1G具有多项优异的电气特性,使其适用于多种电子电路设计。首先,其高增益特性使其在信号放大应用中表现出色,尤其是在低频和中频范围内。由于其hFE值在110至800之间变化,能够满足不同电路设计的需求。其次,该晶体管的高频响应能力使其在射频放大器中也表现出良好的性能,增益带宽积为100 MHz,足以覆盖许多常见的无线通信频段。
  该晶体管采用了SOT-23封装,这种小型封装不仅节省空间,还具有良好的热性能,适用于表面贴装技术(SMT),从而提高了电路板的组装效率。此外,LBAS516SLT1G的耐压能力较高,最大集电极-发射极电压为50V,这使得它在高压环境下也能稳定工作,适用于各种电源管理及开关电路。
  另一个重要特性是其低饱和压降(VCE_sat),这在开关应用中尤为重要,因为它减少了功率损耗,提高了系统的整体效率。同时,该晶体管的工作温度范围较宽,能够在-55°C至150°C的环境中正常运行,适用于工业级应用和恶劣环境条件。

应用

LBAS516SLT1G广泛应用于多个领域。在消费类电子产品中,它常用于音频放大器、开关电路以及逻辑电平转换电路。例如,在便携式音频设备中,该晶体管可以作为前置放大器,提供高质量的音频信号放大。在通信设备中,LBAS516SLT1G可用于射频信号放大和调制解调电路,支持多种无线通信标准。
  在工业控制领域,该晶体管可以作为开关元件,用于控制继电器、电机驱动器或其他负载设备。其高耐压特性和低饱和压降使其在电源管理系统中也表现出色,例如用于DC-DC转换器或稳压电路。
  此外,LBAS516SLT1G还常用于汽车电子系统,如车载娱乐系统、传感器接口电路以及车载通信模块。其良好的热稳定性和宽工作温度范围使其能够在复杂的汽车环境中可靠运行。

替代型号

BC547, 2N3904, PN2222A

LBAS516SLT1G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价