时间：2025/8/13 4:38:05
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LBAS21SLT1G 和 BAS21SLT1G 是由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于低电压和中等功率应用。它们采用 SOT-23 封装，具有较小的体积和良好的电气性能，适合用于开关电路、逻辑电路以及各种便携式设备中的功率管理应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：12V
连续漏极电流（ID）：100mA
功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-23
LBAS21SLT1G/BAS21SLT1G 具备多项优良特性，适用于各种低功率电子设备。首先，其漏源电压为 20V，能够在低压系统中稳定运行，同时具备较高的栅源电压耐受能力（12V），这使得它在数字电路和逻辑控制电路中表现良好。此外，该器件的连续漏极电流为 100mA，虽然不是高功率器件，但在信号切换、逻辑门控制以及低功耗系统中具有出色的性能。
其功耗为 300mW，配合 SOT-23 小型封装，在空间受限的 PCB 设计中非常适用。同时，器件的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，表现出良好的热稳定性和可靠性，适用于工业级和消费级产品。由于其快速的开关特性，该 MOSFET 在 PWM 控制、LED 驱动、负载开关以及电池管理系统中均有广泛应用。
此外，LBAS21SLT1G 和 BAS21SLT1G 的制造工艺成熟，具有良好的一致性与稳定性，且成本较低，是许多低功耗设计中的理想选择。它们还具备较高的抗静电能力，增强了在实际应用中的耐用性。
LBAS21SLT1G/BAS21SLT1G 主要应用于便携式电子产品、电源管理模块、逻辑控制电路、LED 驱动器、低功耗传感器系统、小型电机驱动电路、电池供电设备以及各种小型电子设备中的开关控制。此外，它们也广泛用于通信设备、计算机外围设备和工业自动化控制系统中。
2N7000, 2N3904, BSS138
