LBAS21HT1G 时间：2025/8/14 16:01:54 阅读：22

LBAS21HT1G 是由 ON Semiconductor 生产的一款双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 TrenchFET 技术制造，具有低导通电阻和高效率的特性。该器件设计用于高性能电源管理应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理系统等。LBAS21HT1G 采用 8 引脚 TSOP 封装，适用于空间受限的设计，同时具备良好的热性能和电流承载能力。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（Id）：4.4A（最大）
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：8-TSOP

特性

LBAS21HT1G 具有多个关键特性，使其在电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通损耗，提高整体系统效率。这在高电流应用中尤为重要，因为较低的 Rds(on) 可以减少功率损耗并降低器件温度。其次，该器件采用了先进的 TrenchFET 技术，提供更高的功率密度和更小的芯片尺寸，从而实现更高的集成度和更紧凑的设计。
　　此外，LBAS21HT1G 支持高达 4.4A 的连续漏极电流，适用于中高功率负载的应用。其 30V 的漏源电压额定值使其能够适应多种电源电压范围，包括常见的 12V、24V 系统。栅极驱动电压范围为 4.5V 至 20V，兼容标准的逻辑电平驱动器，简化了电路设计。
　　该器件还具备良好的热稳定性和过温保护能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。8-TSOP 封装不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，适合表面贴装工艺，提高生产效率和可靠性。这些特性共同确保了 LBAS21HT1G 在高效率、高密度电源系统中的广泛应用。

应用

LBAS21HT1G 主要用于各种电源管理电路中，特别是在需要高效能、小尺寸和高可靠性的应用中表现优异。典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制、电源分配系统、LED 驱动器、工业自动化设备和消费类电子产品。在笔记本电脑、平板电脑、服务器电源等设备中，LBAS21HT1G 可用于高效能电源转换和负载管理。此外，该器件也适用于需要高电流能力和低导通损耗的汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统等。