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LBAS21HT1G JS 发布时间 时间:2025/8/13 5:31:05 查看 阅读:3

LBAS21HT1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款双极型晶体管(NPN型),属于通用晶体管类别。该晶体管常用于低功率放大和开关应用,适用于各种电子电路设计中。其采用SOT-23封装,适合表面贴装工艺,具备较高的可靠性和稳定性。

参数

类型:NPN双极型晶体管
  集电极-发射极电压(Vceo):80V
  集电极电流(Ic):100mA
  功耗(Pd):300mW
  过渡频率(fT):100MHz
  电流增益(hFE):110-800(根据不同的工作电流)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23

特性

LBAS21HT1G 是一款通用型 NPN 晶体管,具有良好的电流放大性能和高频响应能力,适用于多种低频和中频放大电路。该晶体管的 hFE(电流增益)范围广泛,可以根据不同的应用需求选择合适的工作点。其 SOT-23 封装形式体积小巧,便于在高密度 PCB 设计中使用,并具有良好的热稳定性和可靠性。此外,LBAS21HT1G 具有较低的饱和压降,适合用于开关电路,能够有效减少功耗和发热。其工作温度范围宽广,可在恶劣环境下稳定运行,适用于工业控制、消费电子和通信设备等领域。
  该晶体管的封装形式符合 RoHS 环保标准,适用于无铅焊接工艺,符合现代电子制造的环保要求。同时,LBAS21HT1G 的电气参数经过严格测试,确保在各种应用中具有良好的一致性和稳定性。

应用

LBAS21HT1G 主要用于低功率放大器、开关电路、数字逻辑电路、传感器接口、音频放大器前级、LED 驱动电路等。此外,它也广泛应用于通信设备、家用电器、汽车电子、工业控制模块以及各种嵌入式系统中,作为信号放大或驱动元件使用。

替代型号

BC847系列, 2N3904, PN2222A

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