LBAS21H 时间：2025/8/13 12:57:28 阅读：13

LBAS21H是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管系列。该器件主要设计用于高频放大和开关应用，具有良好的性能和可靠性，适用于通信设备、消费类电子产品和工业控制系统等领域。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功率耗散（PD）：300mW
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　直流电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　封装类型：SOT-23

特性

LBAS21H晶体管具有多项显著的性能特点，使其在高频应用中表现出色。首先，该晶体管的工作频率范围较宽，增益带宽积达到250MHz，非常适合用于射频（RF）和中间频率（IF）放大器的设计。其次，该器件的直流电流增益（hFE）范围广泛，从110到800不等，能够根据具体需求选择不同等级的产品，以满足不同的放大需求。此外，LBAS21H采用SOT-23封装，体积小巧，适合用于空间受限的设计中，同时具备良好的散热性能，确保在较高功率下稳定运行。
　　在可靠性方面，LBAS21H经过严格的设计和制造流程，具备较高的耐用性和长期稳定性。其最大集电极-发射极电压为50V，最大集电极电流为100mA，最大功率耗散为300mW，能够在较宽的电压和电流范围内稳定工作。这些特性使得该晶体管能够适应多种应用场景，包括模拟信号处理和数字开关电路。此外，该器件的低噪声系数和快速响应时间也使其在通信系统中表现优异，特别是在需要高精度信号放大的场合。

应用

LBAS21H晶体管广泛应用于多个领域，主要包括通信设备、音频放大器、射频模块、消费类电子产品以及工业控制系统。在通信设备中，该晶体管可用于射频信号放大和调制解调电路。在音频放大器设计中，它能够提供良好的低噪声放大性能，提升音频质量。射频模块方面，LBAS21H适合用于前端放大器和混频器电路。此外，由于其封装小巧和高可靠性，该晶体管也常用于便携式电子设备和自动化控制系统中的信号处理和开关电路。