LBAS170HT1G 时间：2025/8/13 23:52:14 阅读：11

LBAS170HT1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于 NPN 型高频晶体管。该晶体管设计用于需要高频率性能和低噪声特性的应用，如射频（RF）放大器、开关电路和模拟信号处理等。LBAS170HT1G 采用小型 SOT-23 封装，具有良好的热稳定性和可靠性，适用于多种电子设备和工业控制系统。

参数

类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大功率耗散（PD）：300 mW
　　最大工作频率（fT）：250 MHz
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据工作电流不同）
　　封装类型：SOT-23

特性

LBAS170HT1G 晶体管具备多项优异特性，适用于高频和低噪声应用场景。首先，其最大工作频率（fT）可达 250 MHz，使其非常适合用于射频（RF）和高速开关电路。此外，该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从 110 到 800，具体值取决于集电极电流的大小，提供了灵活的设计空间。
　　在可靠性方面，LBAS170HT1G 采用 SOT-23 小型封装，具有良好的热稳定性和耐用性，适合在紧凑型电路板设计中使用。其最大集电极-发射极电压（VCEO）为 50V，最大集电极电流为 100mA，使其能够在中等功率应用中稳定运行。同时，最大功率耗散为 300mW，有助于防止过热导致的性能下降。
　　低噪声特性也是 LBAS170HT1G 的重要优势之一，使其在信号放大和低噪声前置放大器设计中表现优异。这使得该晶体管在通信设备、无线模块、传感器接口等应用中非常受欢迎。此外，其封装形式便于表面贴装（SMT）工艺，提高了生产效率和装配可靠性。

应用

LBAS170HT1G 主要应用于需要高频性能和低噪声特性的电子电路中。在射频（RF）领域，该晶体管常用于前置放大器、中继放大器和射频信号处理模块。由于其良好的频率响应和低噪声系数，LBAS170HT1G 在无线通信系统、Wi-Fi 模块、蓝牙设备和射频识别（RFID）系统中得到了广泛应用。
　　在工业自动化和控制系统中，LBAS170HT1G 可用于驱动小型继电器、LED 指示灯和传感器信号放大。此外，该晶体管也适用于模拟信号处理电路，如音频放大器、比较器和开关电源控制电路。
　　消费类电子产品中，LBAS170HT1G 常用于便携式设备中的信号处理和放大电路，如智能手表、运动相机和无线耳机等。其小型 SOT-23 封装非常适合高密度 PCB 设计，帮助缩小产品体积并提高整体性能。