时间：2025/5/19 10:01:19
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LBAS116LT1G 是一款表面贴装型的双向瞬态电压抑制 (TVS) 二极管阵列，专为保护电子设备免受静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT) 和其他过电压瞬态的影响而设计。该器件采用超小型 SOD-882 封装，具有低电容和快速响应时间特性，非常适合用于高速数据线和信号线的保护。其典型应用包括 USB、HDMI、以太网接口等高速通信端口的保护。
封装：SOD-882
工作电压（VWM）：12V
击穿电压（VBR）：14.3V
最大箝位电压（VC）：24.9V
峰值脉冲电流（IPP）：37A
电容（Ciss）：0.4pF
响应时间：1ps
漏电流（ID）：1μA
LBAS116LT1G 具有非常低的负载电容，仅为 0.4pF，因此不会显著影响高速信号的完整性。此外，它还拥有极快的响应时间（1ps），可以迅速地将瞬态电压限制在安全范围内，从而有效保护敏感的下游电路。该器件的工作电压为 12V，适用于多种常见的电源和信号线路。同时，它的高浪涌电流能力（37A 峰值）确保了其在恶劣电磁环境下的可靠性。
由于采用了紧凑的 SOD-882 封装，LBAS116LT1G 非常适合空间受限的应用场景，并且支持自动化的表面贴装工艺，提高了生产效率。
LBAS116LT1G 广泛应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制系统的保护电路中。具体应用包括但不限于：
- USB 接口保护
- HDMI 和 DisplayPort 等高速视频接口保护
- 以太网 PHY 和 RJ45 接口保护
- 移动设备中的天线和射频前端保护
- 工业总线（如 RS-485 和 CAN 总线）保护
LBAS114LT1G, LBAS115LT1G
