LBAS116 是一款双极型晶体管(BJT)阵列器件,由两个独立的NPN晶体管组成,采用16引脚的SOIC或TSSOP封装。这款器件广泛应用于信号处理、逻辑电平转换、接口电路以及小型电子系统中的开关与放大功能。LBAS116 的设计使其在性能和空间利用上具有优势,适合在需要高集成度和高可靠性的场合使用。
类型:双NPN晶体管阵列
封装:SOIC-16 / TSSOP-16
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
最大功耗:200 mW
电流增益(hFE):110 - 800(根据档位不同)
频率响应(fT):100 MHz
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
LBAS116 的两个NPN晶体管在电气性能上是相互独立的,可以分别用于不同的电路功能。该器件具有较高的电流增益范围,允许用户在低功耗应用中实现高效放大。其高频率响应能力(100 MHz)使其适用于高速开关和射频前端处理。
此外,LBAS116 的封装形式适合表面贴装技术(SMT),便于在现代PCB设计中实现自动化生产。器件的耐温范围较广,可在工业级温度范围内稳定运行,适用于严苛环境下的应用。
每个晶体管都有独立的基极、集电极和发射极引出,便于灵活设计电路。LBAS116 还具备良好的热稳定性和抗干扰能力,适用于多种电子系统,如通信模块、工业控制、消费类电子产品等。
LBAS116 主要用于数字电路中的电平转换、缓冲器、逻辑接口、继电器驱动、LED驱动以及小型放大电路。它也常用于需要多晶体管集成的场合,如音频放大器前级、传感器信号调理电路、微控制器外围驱动电路等。
由于其高集成度和小封装,LBAS116 在便携式设备、智能仪表、嵌入式系统和工业自动化设备中也有广泛应用。例如,在物联网(IoT)设备中,LBAS116 可用于驱动无线模块的控制引脚或作为信号放大元件。
另外,该器件也适合用于电机控制、电源管理、DC-DC转换等中低功率应用场景。
ULN2003A, 2N3904, BC547, TIP120