时间：2025/8/5 18:02:30
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LBA110PLTR 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理应用设计。该器件采用了先进的沟槽栅技术，提供了较低的导通电阻和出色的热性能，适用于各种高功率开关电路。LBA110PLTR 采用 PowerFLAT 5x6 封装，具有良好的散热能力，适合在紧凑型电源设计中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：100 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：110 A
导通电阻（Rds(on)）：最大 2.8 mΩ（在 Vgs=10V）
功耗（Ptot）：150 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
LBA110PLTR 具有多个优异的电气和热性能特点，使其在电源管理领域中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下能够保持较低的导通损耗，从而提高了系统的整体效率。其次，该器件采用了先进的沟槽栅技术，使得其在高频开关应用中具有出色的稳定性和响应能力。
此外，LBA110PLTR 的 PowerFLAT 5x6 封装设计不仅提供了优异的热管理性能，还具备较小的封装尺寸，适用于空间受限的设计。该封装无引脚设计有助于减少寄生电感，提高开关速度，同时降低了 PCB 布局的复杂性。
该 MOSFET 还具备高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下提供可靠的保护。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +175°C）使其适用于各种严苛的工业和汽车环境。此外，LBA110PLTR 的栅极驱动电压范围较宽（±20 V），兼容多种驱动电路设计，便于系统集成。
LBA110PLTR 主要用于需要高效率、高功率密度的电源管理系统中。典型应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、负载开关以及汽车电子系统中的功率开关模块。
在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器（OBC）、电动助力转向系统（EPS）、电池保护电路以及各种车载电源转换系统。由于其高可靠性和优异的热性能，LBA110PLTR 也广泛应用于工业自动化设备、服务器电源、储能系统和可再生能源逆变器等高要求场景。
在设计中，工程师通常会将 LBA110PLTR 用于同步整流拓扑、半桥或全桥结构中，以实现高效、紧凑的功率转换系统。其低导通电阻和高电流能力使其成为替代传统大功率双极晶体管（BJT）的理想选择。
STL110N10F7, IPP110N10N3, IRF3710, FDP110N10
