时间：2025/8/13 1:33:00
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LB8FF 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理和开关应用设计。该器件具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能，适用于如DC-DC转换器、电源开关、负载管理、马达控制等高要求场景。LB8FF采用先进的封装技术，能够在高温环境下保持稳定工作，为现代电子设备提供可靠的核心功率控制能力。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：100A
导通电阻(RDS(on))：最大5.8mΩ @ VGS=10V
功耗(PD)：125W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：Power8包装
晶体管配置：单MOSFET
LB8FF的主要特性之一是其极低的导通电阻，这显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。该MOSFET在高电流负载下仍能保持良好的热稳定性，归功于其优化的热设计和先进的封装技术。此外，LB8FF具备高耐压能力和强大的短路保护性能，能够在极端工作条件下提供更高的可靠性。
另一个关键优势是其快速开关能力，有助于降低开关损耗，提高电源转换效率。这使得LB8FF非常适合用于高频开关应用，如同步整流、电机控制和高效DC-DC转换器。同时，其宽广的工作温度范围使其适用于恶劣的工业环境。
栅极驱动要求较低，可在4.5V至20V的栅源电压下正常工作，从而兼容多种常见的栅极驱动电路。这种灵活性增强了其在各种设计中的适用性，尤其是需要高效能与高稳定性的汽车电子和工业自动化应用。
LB8FF广泛应用于需要高效能功率控制的电子系统中。典型应用包括但不限于：DC-DC转换器中的高侧或低侧开关、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统、电源管理单元、工业自动化设备和汽车电子系统（如车载充电器、启动器控制和灯光系统）。由于其高可靠性和热稳定性，LB8FF也常用于高温环境或对散热要求较高的应用中。
SiR862DP, IRF3710, FDS4410, NTD4859N
