时间：2025/12/28 10:09:03
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LB8652T-TLM-E是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的高效率、低功耗同步降压型DC-DC转换器，广泛应用于便携式电子设备和需要高效电源管理的系统中。该芯片采用电流模式控制架构，具有良好的瞬态响应能力和稳定性，适用于从较高输入电压转换为较低稳定输出电压的应用场景。其封装形式为小型化的TSOP-24封装，有助于节省PCB空间，适合高密度布局设计。该器件内置了功率MOSFET，支持连续导通模式（CCM）和脉冲跳跃模式（PSM），可在轻载条件下自动切换以提升整体能效。LB8652T-TLM-E工作频率典型值为1.2MHz，允许使用小型外部电感和陶瓷电容，从而进一步减小整体解决方案尺寸。此外，该芯片具备多种保护功能，包括过流保护、过温保护和欠压锁定（UVLO），确保在异常工作条件下的系统可靠性。由于其优异的热性能和电气性能，LB8652T-TLM-E常用于智能手机、平板电脑、无线模块、工业传感器以及各类电池供电设备中。
型号：LB8652T-TLM-E
制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
器件类型：同步降压DC-DC转换器
输入电压范围：2.7V 至 5.5V
输出电压范围：0.6V 至 3.3V（可调）
最大输出电流：2A
开关频率：1.2MHz（典型值）
工作效率：高达95%
控制方式：电流模式PWM控制
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP-24
静态电流：约30μA（关断模式）
反馈参考电压：0.6V ±1.5%
占空比范围：0% 至 100%
保护功能：过流保护、过温保护、欠压锁定（UVLO）
引脚数：24
LB8652T-TLM-E采用先进的电流模式控制架构，提供快速的负载瞬态响应和稳定的环路控制性能。该控制方式通过实时监测电感电流来调节占空比，有效防止次谐波振荡，并提升系统的动态稳定性。芯片内部集成了上管和下管的功率MOSFET，降低了外围元件数量，简化了设计复杂度。其高开关频率（1.2MHz）使得外部滤波元件如电感和电容可以选用更小尺寸的器件，显著缩小整体电源模块的体积，有利于紧凑型电子产品设计。在轻负载条件下，芯片可自动进入脉冲跳跃模式（PSM），仅在必要时进行开关操作，大幅降低静态功耗，延长电池使用寿命。
该器件具备精确的反馈电压基准（0.6V ±1.5%），支持通过外部电阻分压网络灵活设置输出电压，适应多种不同电压需求的应用场景。内置软启动功能可防止启动过程中产生过大的浪涌电流，保护输入电源和后级电路。同时，芯片集成完善的保护机制，包括逐周期过流保护（OCP）、热关断保护（TSD）以及输入欠压锁定（UVLO），当芯片结温超过安全阈值时会自动关闭输出，待温度下降后恢复正常工作，提高了系统的鲁棒性和长期运行可靠性。此外，LB8652T-TLM-E具有良好的热性能，TSOP-24封装具备较强的散热能力，可在高温环境下稳定运行。所有这些特性使其成为高性能、高集成度电源管理方案的理想选择。
LB8652T-TLM-E广泛应用于对空间和能效要求较高的便携式电子设备中。在智能手机和平板电脑中，它常被用于为主处理器、内存或摄像头模块提供稳定的低压电源，尤其适用于锂电池供电系统，能够高效地将3.7V左右的电池电压降至1.8V或1.2V等核心电压等级。在无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、ZigBee）中，该芯片可为射频前端和基带处理器供电，其低噪声特性和高效率有助于提升信号完整性和续航能力。工业领域中，该器件可用于低功耗传感器节点、数据采集系统和远程监控设备，支持宽温范围工作，适应恶劣环境。此外，在消费类电子产品如智能手表、TWS耳机、便携式医疗设备中，LB8652T-TLM-E凭借其小封装和高集成度优势，成为理想的电源解决方案。在嵌入式系统和FPGA供电方案中，也可作为辅助电源轨使用，满足多电压域供电需求。其高效率和低静态电流特性特别适合电池长期供电的应用场景，有助于延长设备运行时间并减少充电频率。
NCP6326MNX25T1G
MP2315DJ-LF-Z
