LB5MC 时间：2025/9/6 2:19:45 阅读：5

LB5MC 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率控制领域。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性，适用于需要高效率和紧凑设计的电子设备。LB5MC 的封装形式为 TSMT（小外形晶体管封装），便于表面贴装，节省 PCB 空间。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：30V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：5.0A
　　导通电阻 Rds(on)：85mΩ（最大值）
　　功率耗散 Pd：2.0W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

LB5MC 具备出色的导通性能和较低的导通损耗，使其在功率转换应用中表现出色。其低导通电阻 Rds(on) 可有效降低导通时的功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较强的电流承载能力和良好的热稳定性，适合在高负载条件下运行。TSMT 封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，使得该 MOSFET 在高密度电路设计中具有显著优势。LB5MC 还具有较高的抗静电能力（ESD 抗性），增强了器件在实际应用中的可靠性。
　　此外，LB5MC 适用于各种开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器以及负载开关等应用场景。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的 5V 和 10V 驱动电路，便于设计和集成。同时，其封装设计便于焊接和自动化生产，适用于大批量制造和自动化装配流程。

应用

LB5MC 常用于电源管理模块、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机控制电路、负载开关、LED 驱动器以及各种高效率功率控制电路。在汽车电子、工业自动化、消费类电子产品和通信设备中均有广泛应用。例如，在便携式电子设备中，LB5MC 可作为高效能的功率开关，用于控制电池供电路径或实现低功耗模式管理。