晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcbo）：50V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

LB521S30T1G具备多种优良特性，使其适用于广泛的电子电路设计。
　　首先，该晶体管具有较高的电流增益（hFE），在不同等级下可达到110至800，这使得它非常适合用于信号放大和低噪声前置放大器电路。此外，其过渡频率（fT）为100MHz，表明该晶体管在高频应用中仍能保持良好的性能，适用于射频和中频放大电路。
　　其次，LB521S30T1G的最大集电极电流为100mA，集电极-发射极电压为30V，能够满足大多数中低功率应用的需求。其最大功耗为300mW，配合SOT-23小型封装，使得该器件在高密度PCB布局中具有良好的散热性能和空间利用率。
　　再者，该晶体管的封装形式为SOT-23，符合RoHS标准，适用于自动化贴片工艺，便于大规模生产和维护。其工作温度范围为-55°C至+150°C，保证了在极端环境下的稳定性和可靠性，适用于工业级应用。
　　最后，LB521S30T1G具有较低的饱和压降（VCE(sat)），这有助于减少导通状态下的功耗，提高系统的整体效率。这一特性使其特别适用于开关电路、逻辑电平转换以及LED驱动等应用场景。

LB521S30T1G晶体管适用于多种电子系统和模块的设计。
　　在消费电子领域，该晶体管可用于音频放大器、逻辑电路驱动、LED背光控制以及电池供电设备中的开关电路。由于其具有较高的增益和良好的频率响应，也常用于无线通信模块中的射频信号放大和混频电路。
　　在工业控制方面，LB521S30T1G可用于传感器信号调理、继电器驱动、电机控制以及各种低功耗开关应用。其宽工作温度范围和高可靠性使其成为工业自动化设备中的理想选择。
　　此外，在通信设备中，该晶体管可用于射频前端模块的低噪声放大器（LNA）设计，适用于Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等无线通信协议的接收端信号增强。
　　由于其封装小巧、性能稳定，LB521S30T1G也被广泛应用于汽车电子系统中，如车灯控制、车载娱乐系统、仪表盘显示驱动等场合。

BC547, 2N3904, PN2222A, MMBT3904