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LB2458AZ 发布时间 时间:2025/11/6 15:44:57 查看 阅读:17

LB2458AZ是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的高效率、电流模式脉宽调制(PWM)控制器,专为离线式开关电源设计。该芯片集成了多种保护功能和优化的控制电路,适用于低功率AC-DC转换应用,例如消费类电子产品中的电源适配器、充电器以及待机电源等。LB2458AZ采用固定频率工作模式,能够通过外部元件调节开关频率,从而在不同应用场景中实现最佳性能。其内部集成了高压启动电路,可以在上电时直接从高压母线获取启动电流,无需额外的启动电阻网络,这不仅简化了外围电路设计,还提高了系统的整体效率。此外,该器件支持突发模式(Burst Mode)操作,在轻载或空载条件下自动进入低功耗运行状态,显著降低待机功耗,满足全球日益严格的能效标准,如Energy Star和DoE Level VI。芯片封装形式为SOT-23-6L,体积小巧,适合高密度PCB布局。

参数

类型:PWM控制器
  拓扑结构:反激式(Flyback)
  控制模式:电流模式
  工作频率:可调,典型值65kHz
  启动电压:约16V
  工作电压范围:8V至20V
  最大占空比:约80%
  电流检测阈值:约0.95V(典型值)
  反馈输入类型:光耦反馈(FB引脚)
  封装类型:SOT-23-6L
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  集成高压启动:是
  低功耗模式:支持突发模式(Burst Mode)
  保护功能:过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、过温保护(OTP)、前沿消隐(Leading Edge Blanking)

特性

LB2458AZ具备多项先进特性,使其成为低功率离线电源设计的理想选择。首先,其内置的高压启动电路能够在系统上电时直接从整流后的高压直流母线汲取电流,为VCC电容充电,直至芯片达到启动电压。这一机制省去了传统设计中复杂的启动电阻和辅助绕组,有效减少了元件数量和空载损耗,提升了可靠性。其次,该芯片采用电流模式控制架构,提供快速的线路和负载瞬态响应,并便于环路补偿设计。结合前沿消隐技术,可以有效抑制MOSFET导通瞬间产生的电流尖峰干扰,防止误触发过流保护,提高系统稳定性。
  另一个关键特性是其智能突发模式控制。当负载较轻时,控制器会自动降低开关频率甚至间歇性地停止开关动作,仅在输出电压下降到一定阈值时才重新启动,从而大幅减少开关损耗和驱动损耗,实现极低的待机功耗,通常可低于75mW。这种自适应节能机制不仅有助于满足国际能效法规要求,还能延长设备使用寿命。
  在保护方面,LB2458AZ集成了多重安全机制。包括周期级的过流保护(OCP),通过检测功率开关的电流信号实现逐周期限流;过压保护(OVP)用于监测输出电压异常;过温保护(OTP)则在芯片结温过高时关闭输出,防止热损坏。这些保护功能均具有自动恢复或锁存选项,可根据具体应用进行配置。此外,芯片还具备良好的EMI性能优化设计,支持软启动功能以限制启动冲击电流,并可通过外部RC网络灵活设置工作频率,适应不同的变压器设计需求。整体而言,LB2458AZ以其高集成度、高效率和高可靠性,广泛应用于小功率电源系统中。

应用

LB2458AZ主要用于低功率隔离型开关电源设计,典型应用包括手机充电器、USB电源适配器、智能家居设备电源模块、路由器和机顶盒的辅助电源、白色家电中的待机电源电路以及工业传感器供电单元等。由于其支持突发模式并具备优异的轻载效率表现,特别适用于需要长时间处于待机状态且对能耗有严格要求的产品。此外,该芯片也常用于LED照明驱动电源中,尤其是非调光型LED灯泡和筒灯等应用场合。在设计上,它适用于反激式拓扑结构,能够配合外接MOSFET构建成本效益高、体积紧凑的AC-DC转换方案。其小型SOT-23-6L封装进一步支持了高密度PCB布局需求,适合空间受限的应用场景。同时,得益于其内置高压启动和多种保护功能,系统可在无辅助绕组的情况下实现稳定启动与运行,降低了变压器设计复杂度和整体BOM成本。因此,LB2458AZ在追求高效、可靠且符合环保标准的小功率电源领域具有广泛应用前景。

替代型号

NCP1034,NCP1036,MP103

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