时间：2025/9/20 23:39:01
阅读：5
LB1821M-TLM-E是一款由SII Semiconductor Corporation（精工爱普生集团）生产的H桥驱动器集成电路，专为直流电机和步进电机的驱动应用而设计。该器件采用紧凑型表面贴装封装，适用于需要高效、可靠电机控制的小型电子设备。LB1821M-TLM-E集成了四个N沟道和P沟道功率MOSFET，构成完整的H桥输出结构，能够实现对电机正转、反转、制动和停止等操作的精确控制。其内部集成的电荷泵电路可确保高边驱动的稳定工作，从而提高整体驱动效率并减少外部元件数量。该芯片具备多种保护功能，包括过热关断、过流保护以及欠压锁定（UVLO），有效提升了系统在异常工况下的安全性和可靠性。此外，LB1821M-TLM-E支持宽电源电压范围，适用于电池供电或稳压电源系统，广泛应用于便携式设备、办公自动化设备、家用电器及小型工业控制系统中。由于其优良的热性能和抗噪声能力，该器件能够在较为严苛的电磁环境和温度条件下稳定运行。
型号：LB1821M-TLM-E
封装类型：SSOP-24
工作电源电压范围：6 V 至 30 V
输出电流（连续）：1.0 A（每通道）
峰值输出电流：2.5 A
内置电荷泵：支持高边驱动
逻辑输入电平兼容：TTL/CMOS
工作温度范围：-25°C 至 +85°C
存储温度范围：-40°C 至 +125°C
导通电阻（上桥臂 + 下桥臂）：典型值 2.5 Ω
静态电流：典型值 15 mA
关断模式电流：≤ 1 μA
保护功能：过热保护、过流保护、欠压锁定（UVLO）
LB1821M-TLM-E具备高性能H桥驱动能力，适用于驱动中小型直流电机和双极性步进电机。其核心优势在于集成了完整的H桥功率级与控制逻辑，无需外接驱动晶体管或复杂的偏置电路，大幅简化了系统设计并减小PCB面积。该芯片采用电荷泵技术实现高边N沟道MOSFET的有效驱动，相较于传统P沟道高边设计，显著降低了导通损耗，提高了能效。电荷泵还能在低电源电压下维持稳定的栅极驱动电压，保证开关性能的一致性。
该器件具有良好的抗干扰能力，输入引脚具备施密特触发器功能，增强了对噪声的抑制能力，特别适合在电机启停频繁、电磁干扰较强的环境中使用。其内置的欠压锁定（UVLO）功能可防止在电源电压不足时误操作，避免电机失控或驱动器损坏。当检测到输出短路或过载时，过流保护机制会自动限制电流或关闭输出，防止芯片因过热而永久损坏。同时，芯片集成温度传感器，在结温超过安全阈值时触发过热关断，待温度下降后自动恢复，保障系统的长期可靠性。
LB1821M-TLM-E支持IN1/IN2双输入控制模式，用户可通过简单的逻辑电平组合实现电机正转、反转、快速停止和制动四种工作状态，控制接口友好且易于与微控制器连接。其SSOP-24封装具有较好的散热性能，配合适当的PCB布局可满足持续大电流输出需求。此外，该芯片在关断模式下功耗极低，非常适合电池供电设备以延长续航时间。
LB1821M-TLM-E广泛应用于各类需要小型电机驱动控制的电子设备中。常见用途包括打印机、复印机、扫描仪等办公自动化设备中的纸张输送电机驱动；家用电器如电动窗帘、咖啡机、加湿器中的小型直流电机控制；便携式医疗设备如输液泵、呼吸辅助设备中的精密电机驱动；以及工业自动化领域的小型执行机构和阀门控制。
此外，该芯片也适用于消费类电子产品，例如智能玩具、机器人、摄像头云台、自动门锁等需要方向切换和启停控制的应用场景。由于其具备较高的集成度和可靠性，LB1821M-TLM-E常被用于替代分立式H桥方案，提升产品整体稳定性并降低生产成本。在电池供电系统中，其低静态电流和高效的驱动架构有助于优化能源利用效率。对于开发人员而言，该器件无需复杂的外围电路即可实现基本电机控制功能，缩短产品开发周期，加快上市速度。因此，LB1821M-TLM-E是一款兼顾性能、可靠性与易用性的通用型电机驱动IC，适用于多种中低端电机控制场合。
LB1836M-TLM-E
