LB1233M-TLM-E 时间：2025/9/20 18:28:08 阅读：6

LB1233M-TLM-E是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的低压差线性稳压器（LDO），广泛应用于需要高精度、低功耗和小尺寸封装的便携式电子设备中。该器件采用先进的CMOS工艺制造，具备出色的电源抑制比（PSRR）、低静态电流以及良好的负载和线路调节能力，适用于对电源噪声敏感的应用场景。LB1233M-TLM-E的输出电压固定为3.3V，能够持续提供高达300mA的输出电流，满足大多数嵌入式系统和微控制器供电需求。该LDO在全温度范围内具有±2%的输出电压精度，确保了系统在各种工作条件下的稳定运行。其输入电压范围宽，典型值为2.5V至5.5V，使其可兼容多种电池供电或主板电源架构。
　　该芯片采用微型DFN-6（2×2mm）封装，节省PCB空间，适合高密度布局设计。内部集成了过温保护和过流保护功能，增强了系统的可靠性。此外，LB1233M-TLM-E在关断模式下具有极低的漏电流，支持逻辑电平控制的使能端（EN），便于实现电源管理与节能控制。由于其优异的瞬态响应性能和稳定性，无需使用大容量输出电容即可保持稳定工作，进一步降低了整体BOM成本和占板面积。

参数

型号：LB1233M-TLM-E
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：低压差线性稳压器 (LDO)
　　输出电压：3.3V (固定)
　　输出电流：300mA
　　输入电压范围：2.5V ~ 5.5V
　　输出电压精度：±2%
　　静态电流：70μA (典型值)
　　关断电流：0.1μA (最大值)
　　电源抑制比 (PSRR)：60dB @ 1kHz
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：DFN-6 (2×2mm)
　　是否可调：否
　　是否带使能端：是

特性

LB1233M-TLM-E具备多项关键特性，使其在众多LDO产品中脱颖而出。首先，其超低静态电流（典型值仅为70μA）显著延长了电池供电设备的工作时间，特别适用于物联网终端、可穿戴设备和无线传感器节点等对功耗极为敏感的应用。其次，该器件拥有出色的电源抑制比（PSRR），在1kHz频率下可达60dB，能有效滤除来自输入电源的高频噪声，保障敏感模拟电路（如ADC、RF模块）的正常工作。
　　该LDO采用稳定的CMOS结构设计，即使在使用小型陶瓷输出电容（通常为1μF）的情况下也能保持环路稳定，避免了传统LDO对大容量电解电容的依赖，从而减小了解决方案的整体尺寸。其快速瞬态响应能力使得在负载电流突变时输出电压波动极小，提升了系统的动态性能。集成的使能引脚（EN）允许外部逻辑信号控制芯片的开启与关闭，在系统待机或休眠模式下将功耗降至最低。
　　热过载保护和内部电流限制功能提供了完善的故障防护机制，防止因异常工况导致器件损坏。DFN-6（2×2mm）的小型封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，适合自动化贴片生产。此外，LB1233M-TLM-E符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对环境友好性的要求。这些综合优势使其成为高性能、低功耗电源管理方案的理想选择。

应用

LB1233M-TLM-E广泛应用于各类需要高效、稳定电源管理的电子系统中。常见应用场景包括便携式消费类电子产品，如智能手表、蓝牙耳机、移动支付终端和电子标签等，这些设备通常依赖电池供电并对空间和能耗有严格限制。在工业自动化领域，它可用于为传感器信号调理电路、低功耗MCU或通信模块（如LoRa、Zigbee）提供干净的电源轨。
　　在医疗电子设备中，例如血糖仪、体温计或便携式监护仪，LB1233M-TLM-E凭借其低噪声和高精度输出，能够确保测量结果的准确性与稳定性。此外，该器件也适用于智能家居设备中的无线控制模块、门铃摄像头和温控器等产品。在汽车电子中，虽然其工作温度上限为+85°C，但在部分非高温区域的车载信息娱乐子系统或车身控制模块中仍可使用。
　　由于其具备使能控制功能，LB1233M-TLM-E还可用于构建多电源时序控制系统，配合其他电源器件实现上电顺序管理。在FPGA、DSP或ASIC的辅助电源设计中，也可作为内核或I/O供电的次级稳压单元。总之，任何需要从较高电压源获得稳定3.3V、低噪声、低功耗电源的场合，LB1233M-TLM-E都是一个可靠的选择。