时间:2025/12/28 7:57:21
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LAS35F是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的光耦合器(光电耦合器),属于高性能、高可靠性的光电隔离器件系列。该器件采用先进的封装技术,旨在实现输入和输出电路之间的电气隔离,同时传输信号。LAS35F由一个砷化镓(GaAs)红外发光二极管(LED)作为输入端,与一个集成的光敏探测器作为输出端共同构成,广泛用于需要高噪声抑制、高共模瞬态抗扰度(CMTI)以及高安全隔离等级的应用中。该器件常用于工业控制、电源系统、电机驱动以及通信设备等关键场景,以确保系统的稳定运行和操作人员的安全。其设计符合国际安全标准,如UL、CSA、VDE等,适用于要求严格隔离性能的场合。此外,LAS35F具备良好的温度稳定性、较长的使用寿命和较强的抗电磁干扰能力,能够在恶劣环境下保持稳定的信号传输性能。
类型:光耦合器
通道数:1
输入类型:LED
输出类型:光敏晶体管
电流传输比(CTR):50% - 600% @ IF = 5mA, VCE = 5V
最大集电极-发射极电压(VCEO):35V
最大输入正向电流(IF):50mA
反向输入电压(VR):6V
工作温度范围:-55°C 至 +110°C
存储温度范围:-55°C 至 +125°C
隔离电压(Viso):5000VRMS(1分钟,AC)
封装类型:DIP-4
响应时间(ton/off):3μs / 2μs(典型值)
LAS35F光耦合器的核心优势在于其卓越的电气隔离能力和稳定的信号传输性能。该器件内部的红外LED在接收到输入信号时发光,光线被输出端的光敏晶体管接收并转换为电信号,从而实现“电-光-电”的信号传递过程,而输入与输出之间没有电气连接,有效阻断了高压、噪声和接地环路对系统的影响。
该器件具有较高的电流传输比(CTR),在典型的测试条件下可达到50%至600%,这意味着即使在较低的输入电流下也能实现有效的输出驱动能力,有助于降低功耗并提高系统能效。CTR的宽范围也使其能够适应不同的电路设计需求,增强了设计灵活性。
在可靠性方面,LAS35F表现出优异的长期稳定性,其LED老化特性经过优化,确保在长时间运行后仍能维持足够的CTR水平。这使得它非常适合用于寿命要求长、维护困难的工业设备中。
此外,该器件具备出色的共模瞬态抗扰度(CMTI),通常可达到15kV/μs以上,能够在存在快速电压变化的环境中稳定工作,避免误触发或信号失真,特别适合变频器、逆变器和开关电源等高频开关应用。
LAS35F还通过了多项国际安全认证,包括UL1577、CSA Component Acceptance Notice #5、IEC/EN/DIN EN 60747-5-2等,支持高达5000VRMS的隔离电压,满足功能隔离和基本隔离的安全要求,保障用户和设备的安全。其DIP-4封装便于手工焊接和自动化装配,兼容标准PCB布局,广泛应用于各种通用隔离场景。
LAS35F光耦合器广泛应用于需要电气隔离的电子系统中。在工业自动化领域,常用于PLC(可编程逻辑控制器)、I/O模块、传感器接口和继电器驱动电路中,实现控制信号与执行机构之间的隔离,防止现场干扰影响控制系统。
在电源管理方面,该器件广泛用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC整流器中的反馈回路,用于将次级侧的电压或电流信息隔离传输到初级侧的PWM控制器,从而实现精确的稳压控制,同时保证操作人员的安全。
在电机驱动和逆变器系统中,LAS35F可用于隔离栅极驱动信号,防止高功率主电路对低压控制电路造成干扰,提升系统的抗噪能力和运行稳定性。
此外,在通信设备、医疗电子、测试仪器和消费类电子产品中,LAS35F也常用于数字信号隔离、电平转换和噪声抑制等场景。由于其高可靠性与宽温工作范围,该器件特别适合部署在高温、高湿或强电磁干扰的恶劣工业环境中。
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"HCPL-2601",
"HCPL-2631",
"TLP521-1",
"EL817",
"PC817"
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