型号：LAL02TB181K
　　制造商：Panasonic (松下)
　　封装/尺寸：0805 (2012)
　　电容值：180pF
　　容差：±10%
　　额定电压：100V DC
　　介质材料：X7R
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15% (-55°C 至 +125°C)
　　产品系列：FR Series
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　层数结构：多层陶瓷（MLCC）
　　端子类型：镍阻挡层 / 锡镀层（Ni-Sn）
　　耐焊接热性：通过JEITA标准测试
　　无铅兼容：是（符合RoHS）

LAL02TB181K所采用的X7R型介电材料是一种常见的Class Ⅱ陶瓷材料，具有相对较高的介电常数，能够在较小的封装尺寸内实现适中的电容值。这种材料在宽温度范围内表现出良好的电容稳定性，具体表现为在-55°C到+125°C的工作温度区间内，电容值的变化幅度控制在±15%以内，这使得它非常适合用于对温度敏感但不需要极高精度的应用场景。相比于COG/NP0类电容器，X7R虽然在温度稳定性上稍逊一筹，但其更高的体积效率使其成为许多通用解耦和旁路应用的理想选择。
　　该电容器的额定电压为100V DC，意味着它可以安全地应用于中高压电路中，例如开关电源的反馈回路、DC-DC转换器的输入输出滤波节点或射频放大器的偏置电路。结合180pF的电容值，这一组合特别适用于高频信号路径中的耦合与滤波任务，如RF匹配网络、振荡器谐振回路或EMI抑制电路。此外，由于其SMD表面贴装设计，LAL02TB181K能够适应自动化贴片生产流程，提高组装效率并降低制造成本。
　　松下FR系列电容器以高可靠性和长期稳定性著称，LAL02TB181K经过严格的质量控制和老化测试，确保在恶劣环境条件下仍能保持性能一致性。其内部多层结构采用先进的叠层工艺，有效减少寄生电感，提升高频响应能力。同时，外电极采用镍阻挡层加锡镀层的设计，增强了抗迁移能力和可焊性，避免因银离子迁移导致的短路风险，延长了器件使用寿命。整体设计兼顾电气性能、机械强度与环境适应性，适用于工业级甚至部分汽车电子应用场合。

LAL02TB181K因其稳定的电气性能和可靠的物理结构，被广泛应用于多种电子系统中。在电源管理系统中，它常用于DC-DC变换器或LDO稳压器的输入输出端进行噪声滤波与去耦，有效抑制电压波动和高频干扰，保障供电质量。在射频与无线通信模块中，该电容器可用于阻抗匹配网络、天线调谐电路或低通/高通滤波器中，协助实现最佳信号传输效率。
　　在时钟和定时电路中，LAL02TB181K可以作为晶体振荡器或陶瓷谐振器的负载电容使用，帮助维持频率稳定性。此外，在模拟信号链路中，如运算放大器、ADC/DAC前端电路中，该器件可用于交流耦合或滤波处理，隔离直流分量并传递所需频段的信号。
　　工业控制设备、嵌入式系统、路由器、交换机、智能仪表以及消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、电视盒子等）均可能采用此类电容器。由于其工作温度范围宽且符合RoHS标准，也适用于一些要求较高的车载电子模块或户外通信设备。总体而言，LAL02TB181K是一款通用性强、适用范围广的表面贴装多层陶瓷电容器，适合多种中高压、中等精度需求的电路设计场景。

GRM21BR71H181KA01L
　　CL21A181KQANNNC
　　C2012X7R1H181K