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LA8161V-TLM-E 发布时间 时间:2025/9/21 4:05:09 查看 阅读:5

LA8161V-TLM-E是一款由SANYO(现为onsemi)推出的单声道音频功率放大器集成电路,广泛应用于便携式音频设备中。该芯片采用Bi-CMOS工艺制造,具备低功耗、高增益和良好的电源抑制比(PSRR)特性,适合电池供电的系统使用。LA8161V-TLM-E主要设计用于驱动小型扬声器或耳机负载,提供清晰的音频输出,常用于收录机、便携式DVD播放器、电子词典、玩具和其他消费类电子产品中。该器件工作电压范围较宽,支持从3V到12V的直流电源输入,使其在多种应用场景下具备良好的兼容性和适应性。封装形式为SIP-9(单列直插式9引脚),便于手工焊接和自动化生产。其内部集成了前置放大器、驱动级和功率输出级,减少了外围元件数量,简化了电路设计。此外,该IC还具备热保护和短路保护功能,提高了系统的可靠性与稳定性。

参数

类型:单声道音频功率放大器
  工艺技术:Bi-CMOS
  工作电压范围:3V 至 12V
  静态电流:典型值 7.5mA(Vs=6V)
  最大输出功率:典型值 1.2W(RL=8Ω, THD=10%, Vs=9V)
  电压增益:典型值 80dB
  输入阻抗:典型值 20kΩ
  谐波失真:≤1%(典型值,Po=100mW)
  电源抑制比(PSRR):≥60dB(f=1kHz)
  工作温度范围:-20°C 至 +75°C
  封装形式:SIP-9(单列直插9引脚)
  输出电流能力:最大约 100mA(峰值)
  关断功能:无
  热保护:内置
  短路保护:内置

特性

LA8161V-TLM-E具备多项优异的电气和物理特性,使其在低功率音频放大应用中表现出色。首先,其采用的Bi-CMOS工艺结合了双极型晶体管的高跨导与CMOS的低功耗优势,使得该芯片在保持高增益的同时实现了较低的静态电流消耗,特别适用于对电池寿命有要求的便携式设备。其宽电源电压范围(3V~12V)允许它在多种供电条件下稳定工作,无论是使用两节AA电池(3V)还是更高电压的适配器系统都能良好运行。
  该芯片具有高达80dB的电压增益,意味着即使输入信号非常微弱,也能被有效放大至足以驱动扬声器的水平,从而减少前级放大电路的设计复杂度。其输入阻抗约为20kΩ,能够很好地匹配大多数音频源设备(如MP3解码模块、收音头等),避免因阻抗不匹配导致的信号衰减问题。
  在音频性能方面,LA8161V-TLM-E在典型输出功率下谐波失真低于1%,保证了声音还原的保真度,使用户能获得较为清晰自然的听觉体验。同时,其电源抑制比(PSRR)超过60dB,表明该芯片对外部电源噪声有较强的抑制能力,在电池电压波动或存在纹波干扰的情况下仍能维持稳定的音频输出质量。
  内部集成的热关断和输出短路保护机制提升了整个系统的安全性和可靠性。当芯片因长时间大功率输出或散热不良导致温度过高时,热保护功能会自动降低输出功率或关闭输出,防止永久性损坏。同样地,在输出端发生短路故障时,芯片可通过限流机制限制电流,避免烧毁。
  此外,LA8161V-TLM-E无需外接升压电路即可直接驱动4Ω或8Ω扬声器,简化了外围设计。虽然没有关断控制引脚,但其低静态功耗特性依然有助于节能。总体而言,这是一款结构紧凑、性能稳定、易于使用的模拟音频放大IC,非常适合中低端消费类电子产品中的音频放大需求。

应用

LA8161V-TLM-E广泛应用于各类需要单声道音频放大的便携式消费电子产品中。常见用途包括便携式录音机、迷你音响系统、电子学习机、儿童早教机、电子玩具、语音提示设备、电话答录机以及小型收音机等。由于其具备较高的电压增益和良好的信噪比表现,也常被用于将微弱的音频信号进行多级放大以驱动小型喇叭。此外,该芯片还可用于工业控制面板中的语音报警模块、家用电器的状态提示音输出电路,以及一些需要本地音频播放功能的嵌入式系统中。因其封装为SIP-9,适合通孔安装,因此在小批量生产和维修替换场景中也较为便利。

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