时间：2025/5/23 9:35:57
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L8550QLT1G 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沃特功率晶体管（NPN），属于达林顿晶体管系列。该器件采用 TO-220FP 封装，广泛应用于需要高增益和大电流驱动能力的场合，如电机控制、开关电源、固态继电器等。其设计能够承受较高的电压和电流，同时具有较低的饱和电压和出色的热性能。
集电极-发射极电压：60V
连续集电极电流：4A
峰值集电极电流：12A
直流电流增益（hFE）：1000（最小值）
功耗：65W
结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-220FP
L8550QLT1G 具有以下显著特性：
1. 高增益性能，使其非常适合于低输入电流驱动应用。
2. 达林顿结构允许在非常小的基极电流下实现对大负载的有效控制。
3. 通过优化的内部设计，器件具备较低的饱和电压（典型值约为 1.2V），从而减少导通时的功耗。
4. 良好的热稳定性确保了即使在极端工作条件下也能保持可靠的性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺生产。
6. 高可靠性和长寿命，适用于工业和消费类电子设备。
L8550QLT1G 广泛应用于多种领域：
1. 电机启动和运行控制。
2. 开关电源中的功率级控制。
3. 固态继电器中的功率输出级。
4. 照明系统中的 LED 或白炽灯调光控制。
5. 各种工业自动化设备中的电磁阀驱动。
6. 电池充电器中的电流调节电路。
7. 多种家电产品的功率放大和切换功能模块。
L8550KLT1, L8550HLT1, TIP120
