L8550HQLT3G 时间：2025/8/13 11:58:09 阅读：4

L8550HQLT3G是一款由ON Semiconductor生产的NPN型双极性晶体管（BJT）。这款晶体管设计用于高频率和高性能的模拟和数字电路应用，具备良好的增益特性和稳定性。L8550HQLT3G采用SOT-23封装，适合用于便携式设备和空间受限的电路板设计。该器件的工作温度范围宽，适用于各种工业和消费电子应用场景。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
　　最大功耗：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：SOT-23
　　增益带宽积：100MHz
　　直流电流增益（hFE）：110-800（取决于电流）

特性

L8550HQLT3G具有出色的高频响应特性，适用于需要快速开关和高增益的应用。该晶体管在设计上优化了跨导（gm）和输入阻抗，使其在模拟放大器电路中表现出色。此外，L8550HQLT3G的封装形式SOT-23具备良好的热稳定性和机械强度，适合在紧凑的空间内使用。该器件的制造工艺确保了较低的漏电流和稳定的电气性能，适用于长时间运行的电子设备。由于其宽泛的hFE范围，L8550HQLT3G可以适应多种电路设计需求。
　　在实际应用中，L8550HQLT3G常用于射频（RF）放大器、音频放大器、数字开关电路以及各种通用放大电路。其低噪声系数和良好的线性度使其成为高性能模拟电路的理想选择。