类型：NPN双极型晶体管
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
　　最大漏电流（ICBO）：0.1μA（在VCB=30V时）

L8550HQLT1G晶体管具有多种显著特性，使其适用于多种电子设计场景。首先，其高频性能优异，过渡频率（fT）高达100MHz，使其非常适合射频（RF）放大器和高速开关应用。其次，该晶体管具有宽广的电流增益范围（hFE），根据工作条件的不同，其增益值可在110至800之间变化，这使得它在需要高放大倍数的模拟电路中表现出色。
　　此外，L8550HQLT1G采用SOT-23小型封装，节省PCB空间，适用于高密度电路板设计。其最大集电极-发射极电压为50V，最大集电极电流为100mA，适用于中等功率的开关和放大电路。晶体管的耐温性能良好，最大工作温度可达150°C，确保在较高环境温度下仍能稳定运行。
　　该器件的漏电流非常低，集电极-基极漏电流（ICBO）最大仅为0.1μA，在低功耗和高精度电路中表现良好。此外，其封装符合RoHS标准，适用于环保电子产品制造。

L8550HQLT1G晶体管广泛应用于多个电子领域。在通信系统中，它可以作为射频（RF）放大器、中频放大器或混频器使用，其高频率响应和低噪声特性使其成为理想的信号处理元件。在数字电路中，L8550HQLT1G可作为开关晶体管使用，用于控制LED、继电器、小型电机等负载。
　　此外，该晶体管在音频放大电路中也有广泛应用，例如用于前置放大器、音频信号调理电路等，其高增益和低失真特性有助于提高音频质量。L8550HQLT1G也可用于电源管理电路，如DC-DC转换器中的开关控制，或用于电池供电设备中的节能电路设计。
　　由于其SOT-23封装体积小、功耗低，L8550HQLT1G在便携式电子产品、消费类电子设备、工业控制系统和汽车电子中均有广泛应用。例如，在智能手机、蓝牙耳机、无线传感器网络设备和嵌入式控制系统中，该晶体管常用于信号放大和逻辑控制。

MMBT3904LT1G, 2N3904, BC847, PN2222A