L8050HRLT1G 时间：2025/8/14 2:41:45 阅读：23

L8050HRLT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的NPN型双极性晶体管（BJT），广泛用于开关和放大电路中。该晶体管采用SOT-223封装，具有良好的热性能和稳定的电气特性，适合在各种电子应用中使用。

参数

类型：NPN型双极性晶体管（BJT）
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：80V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在2mA集电极电流下为110至800（根据等级不同）
　　封装类型：SOT-223

特性

L8050HRLT1G 具有优异的电流增益和高频响应，适用于低功率放大和开关应用。该晶体管的SOT-223封装提供了良好的散热性能，使其在高电流操作下仍能保持稳定。其主要特点包括高可靠性、低饱和压降和快速开关响应。此外，L8050HRLT1G 采用无铅封装，符合RoHS环保标准，适合现代电子制造需求。
　　该晶体管的工作温度范围通常为-55°C至150°C，适用于工业级和汽车电子应用。其增益（hFE）可根据不同等级提供多个选择，满足不同的设计需求。L8050HRLT1G 的低噪声特性使其在音频放大电路中表现出色，同时其快速响应特性也适用于数字开关电路。
　　在实际应用中，L8050HRLT1G 的基极-发射极电压（VBE）通常在0.7V左右，集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）约为0.25V，这些参数确保了晶体管在导通状态下的低功耗运行。

应用

L8050HRLT1G 主要用于低功率放大器、开关电路、数字逻辑电路、LED驱动电路以及传感器接口电路等应用场景。由于其良好的高频特性和稳定的电气性能，该晶体管也常用于通信设备、消费电子产品和汽车电子系统中。此外，L8050HRLT1G 还可用于电池供电设备中的节能开关电路，提供高效的电流控制能力。