L6NK55Z 时间：2025/7/22 4:27:14 阅读：7

L6NK55Z是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件设计用于高频率和高效率的功率转换应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及电机控制电路等。L6NK55Z采用了先进的平面条形工艺制造，具有低导通电阻、高耐压和高电流处理能力的特点，同时具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大栅源电压(Vgs)：±30V
　　最大连续漏极电流(Id)：6A（在TC=25℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：≤0.95Ω @ Vgs = 10V
　　漏极电流峰值：40A
　　功率耗散(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220

特性

L6NK55Z具有多项优良特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下的低功耗，从而提高了整体系统的效率。此外，该器件的最大漏源电压为500V，能够在高压环境中稳定工作，适用于多种工业和消费类应用。
　　L6NK55Z的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V左右即可完全导通，这使得它可以与多种驱动电路兼容。同时，其最大连续漏极电流为6A，在适当的散热条件下可支持更高的电流负载，提升了器件的适用性。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性，其最大工作温度可达150℃，确保在高温环境下依然能够正常运行。此外，L6NK55Z采用TO-220封装，具有良好的散热性能，便于安装在散热片上以提高热管理效率。
　　在可靠性方面，L6NK55Z通过了严格的工业标准测试，具备较高的耐用性和长期稳定性，适合用于对可靠性要求较高的应用场景。

应用

L6NK55Z广泛应用于多种电力电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器和逆变器等。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高效能电源转换设备的理想选择。在消费类电子产品中，该器件可用于LED照明驱动、电池充电器和家用电器的电源模块中。此外，在工业控制系统中，L6NK55Z也常用于控制电机、继电器和其他负载设备的开关电路中。