型号：L6N3RP
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　类型：光电晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　输入正向电流：60 mA
　　输入反向电压：6 V
　　输出集电极-发射极电压：35 V
　　输出发射极-集电极电压：7 V
　　集电极电流最大值：200 mA
　　功耗：200 mW
　　隔离电压：5000 VRMS
　　工作温度范围：-55°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　CMTI（共模瞬态抗扰度）：15 kV/μs
　　响应时间（开通+关断）：4 μs typ
　　电流传输比（CTR）：50% - 600% @ IF=16mA, VCE=5V
　　封装类型：6-DIP（DIP-6）
　　安装方式：通孔（Through Hole）

L6N3RP 光耦合器具备优异的电气隔离性能，其内部采用红外LED与硅光敏三极管组合结构，能够在输入与输出之间提供高达5000 VRMS的隔离电压，有效防止高压窜入低压控制电路，保障操作人员与设备的安全。该器件的电流传输比（CTR）范围宽，典型值在50%至600%之间，使其在不同驱动条件下均能保持良好的信号传递效率，适用于从低功耗逻辑电路到较高负载驱动的多种应用场景。其工作温度范围宽达-55°C至+110°C，确保在极端环境温度下仍能稳定运行，适用于工业自动化、户外设备及汽车电子等对环境适应性要求高的领域。
　　L6N3RP 具备良好的抗电磁干扰能力，其共模瞬态抗扰度（CMTI）可达15 kV/μs，能够有效抑制快速变化的共模电压对信号传输的影响，避免误触发或信号失真，提升系统在高噪声环境中的可靠性。该器件响应时间较短，开通与关断时间合计约为4微秒，足以满足中速数字信号隔离的需求，如PLC输入输出模块、继电器驱动隔离、微控制器与功率器件之间的信号隔离等。其6引脚DIP封装设计不仅便于手工焊接与自动化装配，还提供了足够的爬电距离和电气间隙，增强绝缘性能。
　　该光耦采用无卤材料制造，符合RoHS环保标准，并通过了UL1577、CSA Component Acceptance Notice #5等安全认证，适用于医疗设备、工业控制系统、开关模式电源（SMPS）反馈回路等对安全等级要求较高的应用。此外，L6N3RP 的长期可靠性高，老化速率低，能够在持续工作条件下保持稳定的光电转换性能，减少系统维护成本。其输入侧仅需较低的驱动电流（典型16mA即可使输出充分导通），可直接由逻辑门电路或微控制器IO口驱动，简化外围电路设计。总体而言，L6N3RP 是一款性价比高、通用性强、安全可靠的光耦器件，广泛用于各类需要电气隔离的电子系统中。

L6N3RP 广泛应用于需要电气隔离的电子系统中，常见于工业控制领域的可编程逻辑控制器（PLC）输入输出模块，用于将现场传感器或执行器的信号与内部逻辑电路隔离开来，防止外部高压或噪声干扰影响核心控制器的正常运行。在开关电源（SMPS）中，它常被用作反馈回路中的隔离元件，将次级侧的电压调节信号传送到初级侧的PWM控制器，实现闭环稳压控制，同时维持一次侧与二次侧之间的绝缘要求。此外，在交流逆变器、电机驱动器和UPS不间断电源等电力电子设备中，L6N3RP 用于隔离控制信号与高功率开关器件（如IGBT或MOSFET），确保驱动信号的准确传递并保护低压控制电路。
　　在通信接口电路中，L6N3RP 可用于RS-232、RS-485等串行通信线路的信号隔离，消除接地电位差引起的干扰，提升通信稳定性与抗噪能力。其高隔离电压和良好的瞬态抑制能力也使其适用于医疗电子设备中的信号隔离环节，满足IEC 60601等医疗安全标准对患者保护的要求。在楼宇自动化、智能电表、家电控制板等领域，该光耦可用于微处理器与继电器、可控硅等执行元件之间的隔离驱动，提高系统的安全性与抗干扰性能。由于其宽温特性和高可靠性，L6N3RP 还适用于汽车电子中的辅助电源管理、车载充电器及车身控制模块等对环境耐受性要求较高的场景。总之，凡是需要实现信号传输同时进行电气隔离的应用，L6N3RP 都是一个成熟且值得信赖的选择。

PC817X1NIP0F
　　EL357C-B-F
　　TLP521-1GB