L6283-1.3 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)设计和生产的功率MOSFET驱动器集成电路,专门用于驱动高边和低边MOSFET或IGBT,适用于各种电机控制、电源转换和工业自动化应用。这款器件具有高耐压、高输出电流能力以及集成保护功能,使其非常适合用于半桥或全桥拓扑结构。L6283-1.3 提供了快速的开关速度和可靠的过热、过流及欠压保护功能,确保在高功率环境下的稳定运行。
类型:高压高速MOSFET驱动器
工作电压范围:10V 至 20V
输出电流能力:高边和低边均支持峰值电流达3A
传播延迟:典型值为120ns
死区时间控制:内置可调死区时间控制
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装形式:14引脚SOIC或PowerSSO-16
L6283-1.3 具备多项高性能特性,包括高压能力(最高可达600V),适用于高边和低边驱动配置。该器件内置独立的高边和低边驱动器,支持独立的电源供电,从而提高了系统设计的灵活性和效率。L6283-1.3 的输出驱动器具备高电流能力,可快速驱动大功率MOSFET或IGBT,从而降低开关损耗并提高系统的整体效率。此外,该芯片集成了多种保护机制,如欠压锁定(UVLO)、过热保护(OTP)以及交叉传导保护,确保在各种异常条件下仍能保持安全运行。其封装设计支持高效的散热管理,适用于高温环境下的工业应用。
该器件还支持死区时间调节功能,以防止上下桥臂同时导通造成短路,进一步提高了系统的可靠性和稳定性。L6283-1.3 采用CMOS和双极型技术相结合,提供了优良的抗噪性能和高dv/dt耐受能力,适用于高开关频率的应用场景。
L6283-1.3 主要应用于电机控制、变频器、UPS(不间断电源)、工业自动化设备、开关电源(SMPS)、电焊机和感应加热系统等。由于其高可靠性和集成保护功能,该器件特别适用于需要高效率和高稳定性的工业级应用。此外,它也可用于电动汽车充电系统、太阳能逆变器和储能系统等新兴领域,满足高功率密度和高效率的设计需求。
L6384E、IRS21844、FAN7382、L6283-1.5