L6283-1.3 时间：2025/7/22 6:59:46 阅读：12

L6283-1.3 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）设计和生产的功率MOSFET驱动器集成电路，专门用于驱动高边和低边MOSFET或IGBT，适用于各种电机控制、电源转换和工业自动化应用。这款器件具有高耐压、高输出电流能力以及集成保护功能，使其非常适合用于半桥或全桥拓扑结构。L6283-1.3 提供了快速的开关速度和可靠的过热、过流及欠压保护功能，确保在高功率环境下的稳定运行。

参数

类型：高压高速MOSFET驱动器
　　工作电压范围：10V 至 20V
　　输出电流能力：高边和低边均支持峰值电流达3A
　　传播延迟：典型值为120ns
　　死区时间控制：内置可调死区时间控制
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：14引脚SOIC或PowerSSO-16

特性

L6283-1.3 具备多项高性能特性，包括高压能力（最高可达600V），适用于高边和低边驱动配置。该器件内置独立的高边和低边驱动器，支持独立的电源供电，从而提高了系统设计的灵活性和效率。L6283-1.3 的输出驱动器具备高电流能力，可快速驱动大功率MOSFET或IGBT，从而降低开关损耗并提高系统的整体效率。此外，该芯片集成了多种保护机制，如欠压锁定（UVLO）、过热保护（OTP）以及交叉传导保护，确保在各种异常条件下仍能保持安全运行。其封装设计支持高效的散热管理，适用于高温环境下的工业应用。
　　该器件还支持死区时间调节功能，以防止上下桥臂同时导通造成短路，进一步提高了系统的可靠性和稳定性。L6283-1.3 采用CMOS和双极型技术相结合，提供了优良的抗噪性能和高dv/dt耐受能力，适用于高开关频率的应用场景。

应用

L6283-1.3 主要应用于电机控制、变频器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备、开关电源（SMPS）、电焊机和感应加热系统等。由于其高可靠性和集成保护功能，该器件特别适用于需要高效率和高稳定性的工业级应用。此外，它也可用于电动汽车充电系统、太阳能逆变器和储能系统等新兴领域，满足高功率密度和高效率的设计需求。