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L60030M 发布时间 时间:2025/7/22 19:14:43 查看 阅读:5

L60030M是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的功率MOSFET,广泛应用于高电流和高功率场景。这款MOSFET具有高性能、高可靠性和低导通电阻的特性,适用于各种工业和汽车应用。L60030M采用先进的功率MOSFET技术,能够在高温和高电流条件下稳定工作,确保系统长时间运行的可靠性。其封装形式为TO-220,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):约0.045Ω(典型值)
  栅极电压(Vgs):±20V
  最大功耗(Ptot):125W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-220

特性

L60030M具备一系列优良的电气和热性能,适合高性能功率应用。首先,其低导通电阻(Rds(on))可有效降低导通损耗,提高系统效率。在30A的漏极电流下,导通损耗非常低,使得L60030M非常适合高效率电源设计。其次,L60030M的最大漏源电压为60V,适用于中等功率的电源转换系统,如DC-DC转换器、电机驱动和电池充电器等。
  此外,L60030M采用了先进的封装技术,提供良好的热管理和散热性能。TO-220封装不仅便于安装,还能够有效散发运行过程中产生的热量,确保MOSFET在高负载条件下稳定工作。L60030M的工作温度范围宽达-55°C至175°C,适用于恶劣的工业和汽车环境。
  L60030M的栅极电压范围为±20V,具有较强的抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中稳定运行。同时,该MOSFET具有较高的开关速度,适用于高频开关应用,进一步提高了系统的响应速度和效率。由于其优异的电气和热性能,L60030M在汽车电子、工业自动化、电源管理和电机控制等领域得到了广泛应用。

应用

L60030M广泛应用于多个领域,包括汽车电子、工业控制、电源管理以及电机驱动等。在汽车电子领域,L60030M可用于电动助力转向系统、电动刹车系统、车载充电器以及电池管理系统等。其高电流能力和良好的热管理特性,使其能够在高温和高负载条件下稳定工作。
  在工业控制和自动化系统中,L60030M常用于开关电源、DC-DC转换器、伺服电机驱动器和可编程逻辑控制器(PLC)等设备。其低导通电阻和高开关速度,使其在高频率和高效率的电源转换系统中表现出色。
  此外,L60030M也适用于消费类电子产品,如高功率LED照明驱动器、智能家电和电动工具等。其优异的性能使其在高负载条件下仍能保持稳定的运行,提高产品的可靠性和使用寿命。

替代型号

STP30NF60FD, IRFZ44N, FDP30N60

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