类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：连续工作时为4.8A（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为1.75Ω
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220或DPAK
　　功率耗散（Pd）：50W
　　漏极雪崩能量（Eas）：150mJ

L4N60F MOSFET具备多项优良特性，适合高效率功率应用。其最大漏源电压为600V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源系统。该器件的导通电阻较低，典型值为1.75Ω，有助于降低导通损耗，提高能效。此外，L4N60F的栅极电荷（Qg）较低，使得其在高频开关应用中表现出色，能够减少开关损耗。
　　L4N60F具有良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在较宽的温度范围内（-55°C至+150°C）稳定工作。它支持较高的连续漏极电流（4.8A），适合用于中等功率的开关电路。该MOSFET还具备较强的雪崩能量承受能力（150mJ），能够在瞬态电压冲击下保持稳定运行，提升系统的安全性和耐用性。
　　在封装方面，L4N60F通常采用TO-220或DPAK封装，具备良好的散热性能，便于安装在散热器上，确保在高功率应用中保持稳定的温度控制。这些特性使得L4N60F成为电源适配器、DC-DC转换器、LED驱动电源、电机控制和电池管理系统等应用的理想选择。

L4N60F广泛应用于多种功率电子系统中。常见应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、LED驱动电路、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统等。其高耐压特性使其适用于高压直流电源转换系统，而低导通电阻和快速开关特性则有助于提升系统效率并减少发热。在电机控制应用中，L4N60F可用于H桥电路实现正反转控制；在电源管理应用中，常用于同步整流或负载开关控制。

FQP4N60C, STP4N60C, IRF740, 2SK2141