时间：2025/12/26 23:02:55
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L4008D8TP是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET?技术制造，专为高效率开关电源应用设计。该器件封装于PowerSSO-36（也称为PowerFLAT 5x6）封装中，具有极低的导通电阻和优良的热性能，适用于需要紧凑尺寸与高性能兼顾的应用场景。其主要目标市场包括DC-DC转换器、开关模式电源（SMPS）、负载开关、电机控制以及电池供电系统等。由于采用了先进的沟槽式场效应晶体管工艺，L4008D8TP在保持小封装体积的同时实现了出色的电气特性，尤其在低电压驱动条件下仍能保持良好的导通能力。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适合现代绿色电子产品制造要求。其封装形式具备良好的散热能力，可通过PCB上的散热焊盘有效传导热量，从而提升整体系统的可靠性与长期稳定性。
型号：L4008D8TP
制造商：STMicroelectronics
晶体管类型：N沟道MOSFET
漏源电压VDS：40 V
栅源电压VGS：±20 V
连续漏极电流ID（@25°C）：190 A
脉冲漏极电流IDM：600 A
导通电阻RDS(on)（max @ VGS = 10 V）：0.8 mΩ
导通电阻RDS(on)（max @ VGS = 4.5 V）：1.2 mΩ
栅极电荷Qg（典型值）：75 nC
输入电容Ciss（典型值）：4500 pF
开启延迟时间td(on)：15 ns
关断延迟时间td(off)：35 ns
上升时间tr：20 ns
下降时间tf：15 ns
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerSSO-36 (PowerFLAT 5x6)
安装方式：表面贴装SMD
L4008D8TP基于STMicroelectronics独有的STripFET? V代沟槽技术，这一先进制程显著优化了器件的导通电阻与栅极电荷之间的权衡关系，使其在高频开关应用中表现出卓越的效率表现。该MOSFET在VGS为10V时，最大导通电阻仅为0.8mΩ，在更低驱动电压4.5V下也能维持1.2mΩ的低阻水平，这使得它非常适合用于同步整流或低压大电流输出的DC-DC变换器中。极低的RDS(on)有助于减少导通损耗，提高电源系统的整体能效。同时，该器件拥有高达190A的连续漏极电流承载能力及600A的脉冲电流耐受能力，表明其具备强大的瞬态负载应对能力，适用于突发高电流需求的应用如服务器电源或工业控制系统。
其栅极电荷Qg典型值为75nC，配合较低的输入电容（Ciss约4500pF），可有效降低驱动电路的功耗，提升开关速度并减少开关损耗。这对于工作频率较高的电源拓扑结构（如多相降压变换器）至关重要。此外，器件具备快速的开关响应时间，开启延迟约15ns，关断延迟约35ns，配合短促的上升与下降时间，进一步增强了其在高频环境下的适用性。
PowerSSO-36封装不仅尺寸紧凑（5x6mm2），还集成了大面积裸露焊盘，极大提升了从芯片结到PCB的热传导效率。这种设计允许通过PCB布局中的热过孔将热量迅速散发出去，从而避免局部过热导致的性能下降或器件失效。该封装支持自动化贴片生产流程，并兼容回流焊工艺，满足现代电子制造对高密度组装和可靠性的双重需求。器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，确保其在极端温度环境下依然稳定运行，适用于严苛工业、汽车或电信设备应用场景。
L4008D8TP广泛应用于各类高效率、高功率密度的电源系统中。典型用途包括服务器和数据中心的多相同步降压变换器，其中多个此类MOSFET并联使用以分担大电流负载，实现高效电压调节。在通信基础设施设备中，如基站电源模块，该器件可用于中间总线转换器或POL（Point-of-Load）稳压器，提供稳定的低压大电流输出。此外，该MOSFET也适用于电动工具、无人机、便携式医疗设备等电池供电系统中的电源管理单元，作为主开关或同步整流元件，最大限度地延长电池续航时间。
在工业自动化领域，L4008D8TP可用于PLC控制器、伺服驱动器和变频器中的DC-DC转换级，其高电流能力和快速响应特性有助于提升动态负载调整精度。在汽车电子方面，尽管非专门车规级认证型号，但类似器件常被用于车载信息娱乐系统或辅助电源模块中，尤其是在48V轻混系统相关的DC-DC转换方案中展现出潜力。此外，该器件还可用于大功率LED驱动电源、太阳能微逆变器以及UPS不间断电源系统中，作为核心开关元件参与能量转换过程。得益于其优异的热性能和紧凑封装，L4008D8TP特别适合空间受限但性能要求高的嵌入式电源设计。
STL4008D8TP
