L3E01060P0B 时间：2025/12/23 13:05:22 阅读：19

L3E01060P0B 是一款由 ROHM 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型封装，适合用于高效能的功率转换应用。由于其低导通电阻和高开关速度，广泛应用于消费电子、工业设备以及通信设备等领域。
　　这款 MOSFET 的设计能够满足对效率要求较高的电路需求，同时具备出色的热稳定性和抗干扰能力。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：2.9A
　　导通电阻：45mΩ
　　栅极电荷：8nC
　　开关速度：快速
　　封装类型：USP-6B

特性

L3E01060P0B 的主要特点是低导通电阻 (Rds(on))，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。此外，该器件的栅极电荷较低，从而提高了开关速度并减少了开关损耗。
　　该 MOSFET 还具有出色的温度稳定性，在高温环境下也能保持稳定的性能表现。它的高击穿电压确保了在高压条件下的可靠性，而低电容特性使其非常适合高频应用。
　　此外，L3E01060P0B 的小型化封装进一步优化了 PCB 空间利用率，非常适合紧凑型设计。通过减少寄生电感，这种封装还提升了整体系统的电气性能。

应用

L3E01060P0B 适用于多种电力电子应用，包括但不限于开关电源 (SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关以及 LED 驱动器等场景。
　　在消费类电子产品中，它通常被用作电池保护电路中的功率开关；在工业领域，该器件可用于可编程逻辑控制器 (PLC) 和伺服驱动器中的信号隔离与功率传输；在通信设备方面，则可以作为电源管理模块中的关键组件来提供高效的能量转换。