时间：2025/7/3 14:49:42
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L35L15VCB2 是一款基于硅技术设计的双通道 N 沟道功率 MOSFET 集成芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动以及负载切换等场景。该芯片通过优化导通电阻和栅极电荷特性，能够在高频工作条件下提供高效率和低功耗表现。其封装形式通常为节省空间的小型表面贴装类型，适合紧凑型设计需求。
该器件具有出色的热性能和电气性能，能够承受较高的漏源电压，并支持大电流输出。同时，它还具备快速开关速度和较低的反向恢复电荷特性，有助于减少系统能量损耗。
型号：L35L15VCB2
封装：LFPAK88
漏源电压（Vds）：60V
连续漏极电流（Id）：42A
导通电阻（Rds(on)）：2.6mΩ
栅极电荷（Qg）：95nC
输入电容（Ciss）：4240pF
总功耗：20W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
反向恢复时间（trr）：45ns
L35L15VCB2 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够显著降低传导损耗，提高整体效率。
2. 快速开关速度，适用于高频应用场合。
3. 小尺寸封装 LFPAK88 提供更高的功率密度。
4. 内置 ESD 保护功能，增强芯片的可靠性。
5. 支持大电流能力，可满足多种功率级需求。
6. 广泛的工作温度范围，适应极端环境条件下的使用。
7. 具备良好的热稳定性和散热性能，确保长期可靠运行。
L35L15VCB2 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），例如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 各类电机驱动，如无刷直流电机（BLDC）和步进电机。
3. 工业自动化设备中的负载切换与控制。
4. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品。
5. 电动车及混合动力汽车的电池管理系统。
6. 通信基础设施中的电源管理模块。
7. 家用电器中的高效功率转换部分。
L35L16VCB2
IRLB8748PBF
FDP17N06L
IPD100N06S4L
AO4458
