L2SK3018WT1G 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TOLL封装,具有高电流承载能力和低导通电阻的特点,适用于各种功率转换和开关应用。L2SK3018WT1G 通过优化的制造工艺实现了卓越的电气性能,同时保持了较高的可靠性和稳定性。
这款MOSFET适合需要高效能和低功耗的应用场景,例如服务器电源、工业自动化设备、电动汽车充电系统以及可再生能源逆变器等。
最大漏源电压:150V
连续漏极电流:169A
导通电阻:1.4mΩ
栅极电荷:125nC
输入电容:2970pF
总热阻(结到环境):48°C/W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
L2SK3018WT1G 的主要特性包括:
1. 高电流处理能力,能够支持高达169A的连续漏极电流。
2. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为1.4mΩ,从而减少传导损耗并提高效率。
3. 快速开关速度,得益于较小的栅极电荷(Qg=125nC),有助于降低开关损耗。
4. 宽泛的工作温度范围(-55°C至175°C),使其能够在极端环境下稳定运行。
5. TOLL封装设计,提供优越的散热性能和紧凑的外形尺寸。
6. 符合RoHS标准,绿色环保,无铅设计。
7. 提供高度可靠的电气隔离性能,适合要求严格的工业和汽车应用。
L2SK3018WT1G 广泛应用于以下领域:
1. 电机驱动和控制电路,如工业机器人和家用电器中的无刷直流电机(BLDC)控制。
2. 开关模式电源(SMPS)设计,用于计算机服务器、电信设备及消费类电子产品。
3. DC/DC转换器,为便携式电子设备提供高效的电压调节。
4. 电动车辆(EV)和混合动力汽车(HEV)中的牵引逆变器。
5. 太阳能光伏逆变器,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电以供家庭或电网使用。
6. 能量存储系统的充放电管理,确保能量传输过程中的高效与安全。
L2SK3018WT1GH, L2SK3018WTT1G