晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：50 V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：50 V
　　最大功耗（PD）：300 mW
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：SOT-323（SC-70）
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　最大噪声系数：4 dB
　　基极-发射极电压（VBE）：1.0 V（最大值，IC=100 mA）

L2SC4083PKW1T1G晶体管具有多项显著特性，使其在多种电子应用中表现出色。首先，该晶体管的高频特性使其非常适合用于射频放大器和振荡器电路。其过渡频率（fT）高达100 MHz，表明其在高频条件下仍能保持良好的增益性能。此外，L2SC4083PKW1T1G具有低噪声系数，最大为4 dB，这使其非常适合用于低噪声放大器设计。
　　其次，该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800，具体取决于测试条件。这种宽范围的增益特性使其能够适应多种电路设计需求。L2SC4083PKW1T1G的最大集电极电流为100 mA，最大集电极-发射极电压为50 V，使其能够在中等功率应用中可靠运行。
　　该晶体管采用SOT-323（SC-70）封装，体积小巧，适合在空间受限的电路板设计中使用。此外，其最大功耗为300 mW，表明其能够在相对较高的功耗条件下运行，但需注意散热设计。
　　L2SC4083PKW1T1G的基极-发射极电压（VBE）最大为1.0 V（在IC=100 mA时），这意味着其驱动要求相对较低，可以在低电压电路中高效工作。其最大工作温度为150°C，表明其能够在较高的环境温度下稳定运行。

L2SC4083PKW1T1G晶体管广泛应用于多个领域。在射频（RF）电路中，它常用于前置放大器、中频放大器和振荡器设计。由于其低噪声特性，L2SC4083PKW1T1G非常适合用于通信设备中的信号放大，尤其是在无线通信系统中。
　　在数字电路中，L2SC4083PKW1T1G可用于开关电路，其快速开关特性和低饱和电压使其在数字逻辑电路中表现出色。此外，该晶体管还可用于音频放大器设计，尤其是在需要高增益和低噪声的前置放大器中。
　　由于其封装小巧，L2SC4083PKW1T1G也常用于便携式电子产品，如移动电话、平板电脑和无线耳机等设备中的射频模块。在这些应用中，晶体管的小尺寸和低功耗特性尤为重要。

BC847系列, 2N3904, PN2222