L2SC4083NWT1G 时间：2025/8/14 0:26:50 阅读：23

L2SC4083NWT1G是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流能力和良好的热稳定性，适用于如DC-DC转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：6.5A
　　导通电阻(RDS(on))：最大30mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散(PD)：3.2W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-252（D-Pak）

特性

L2SC4083NWT1G的主要特性包括采用先进的Trench沟槽技术，使得导通电阻更低，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。该MOSFET具有较高的电流处理能力，能够在高负载条件下稳定运行。其低RDS(on)特性也降低了工作时的热量产生，提高了器件的热稳定性。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V或更高的驱动电压，便于与多种控制器和驱动器配合使用。
　　L2SC4083NWT1G的封装设计采用TO-252（D-Pak），具备良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT），便于在紧凑型PCB设计中使用。该封装还有助于提高器件的机械强度和长期可靠性。其工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，适合在各种环境条件下使用，包括工业级和汽车级应用场合。
　　此外，该MOSFET具备较高的耐用性和抗过载能力，在短时过流或瞬态条件下仍能保持正常工作，适用于需要高可靠性的电源系统。由于其低输入电容（CISS）和快速开关特性，L2SC4083NWT1G也适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的体积，提高电源系统的整体效率。

应用

L2SC4083NWT1G广泛应用于各类电源管理和功率转换系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及工业控制设备等。此外，该MOSFET也适用于汽车电子系统中的电源管理模块，如车载充电器、启停系统和电池保护电路。由于其良好的热性能和高频响应能力，它也可用于高效率的开关电源（SMPS）和LED照明驱动器等应用场景。