时间：2025/4/29 18:21:11
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L2SC4081RT1G 是一款由 ROHM 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TOSP（Trench MOSFET）技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种电源管理和功率转换应用。
这种功率 MOSFET 的设计使其能够承受较高的漏源电压，并在大电流条件下保持较低的功耗，非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及电池保护电路等场景。
型号：L2SC4081RT1G
类型：N沟道功率MOSFET
VDS（漏源极击穿电压）：80V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：5.5mΩ
ID（连续漏极电流）：160A
Qg（总栅极电荷）：32nC
EAS（雪崩能量）：1.5J
封装：TO-263-3（D2PAK）
L2SC4081RT1G 具有出色的电气性能和可靠性。其主要特性如下：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，能够显著降低功率损耗并提高效率。
2. 支持高达 80V 的漏源电压，确保在宽输入电压范围内的稳定性。
3. 高电流承载能力（160A），适合大功率应用场景。
4. 快速开关特性，有助于减少开关损耗。
5. 总栅极电荷 Qg 较小，便于驱动并降低驱动功耗。
6. 提供较高的雪崩能量耐受能力，增强系统在异常条件下的可靠性。
7. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
L2SC4081RT1G 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级控制。
2. 各类 DC-DC 转换器，包括降压和升压拓扑。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统中的保护和均衡功能。
6. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
7. 通信电源和服务器电源中的高效功率传输组件。
L2SC4080RT1G, L2SC4082RT1G
