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L2SC2411KRLT1G 发布时间 时间:2025/4/29 17:59:21 查看 阅读:1

L2SC2411KRLT1G 是一款基于硅技术的高效能双通道功率 MOSFET 集成电路,广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器和负载开关等领域。该芯片具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  这款器件采用了先进的封装技术,提供卓越的热性能和电气性能,适用于消费电子、通信设备以及工业控制等应用领域。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:2.5A
  导通电阻:6.5mΩ
  栅极电荷:10nC
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:LFPAK33

特性

L2SC2411KRLT1G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,可有效减少功率损耗。
  2. 高速开关性能,适合高频应用场合。
  3. 小型化封装,节省 PCB 空间。
  4. 出色的热稳定性和抗静电能力。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 内置反向恢复二极管,进一步提升系统效率。
  7. 支持大电流操作,满足多种应用场景需求。

应用

该元器件主要应用于以下领域:
  1. 开关电源适配器。
  2. 便携式电子设备中的负载开关。
  3. 通信基站的电源管理模块。
  4. 汽车电子系统中的 DC-DC 工业自动化控制中的电机驱动。
  6. LED 驱动电路设计。
  其高效能和可靠性使得 L2SC2411KRLT1G 成为现代电子产品中不可或缺的关键组件。

替代型号

L2SC2411KRLT2G, L2SC2411KRLT3G

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