时间：2025/6/3 12:02:58
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L2SC1623QLT1G 是一款基于硅技术制造的 N 沣道晶体管（N-Channel MOSFET），主要用于功率转换、电机驱动和负载开关等应用。其封装形式为 LFPAK8，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，适用于高效能功率管理场景。
该器件通过优化的芯片设计实现了更低的功耗和更高的可靠性，同时支持表面贴装工艺，便于大规模生产中的自动化装配。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：17A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：25nC
总电容：130pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
L2SC1623QLT1G 提供了出色的性能表现，尤其是在效率和热稳定性方面。
1. 超低导通电阻 (Rds(on)) 设计可显著降低传导损耗，提升系统整体效率。
2. 高额定电流使其能够适应多种大功率应用场景。
3. 小型化的 LFPAK8 封装有助于减少 PCB 占用空间并改善散热性能。
4. 支持高达 175℃ 的结温，确保在极端条件下的稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
这款 N-Channel MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器中的功率开关。
2. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动电路。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关和保护电路。
4. 通信设备中的信号切换与功率控制。
5. 汽车电子系统中的各类功率管理模块。
L2SC1623QDT1G, L2SC1623QFT1G
