时间：2025/5/20 20:48:26
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L2SA1774QT1G 是一款高性能的 N 没道沟槽型功率 MOSFET，采用 QFN 封装形式。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适合应用于需要高效能转换和低功耗的场景。由于其出色的电气性能和高可靠性，这款 MOSFET 广泛用于电源管理、电机驱动以及各种工业和消费类电子设备中。
该器件的工作电压范围较宽，能够承受较高的漏源极电压，同时具备良好的热性能表现，使其在高温环境下依然保持稳定工作。
类型：N 没道 MOSFET
封装：QFN
漏源极电压 (Vds)：60V
连续漏极电流 (Id)：38A
导通电阻 (Rds(on))：3.5mΩ
栅极电荷 (Qg)：39nC
总功耗 (Ptot)：14W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
最大结温：175℃
L2SA1774QT1G 的主要特性包括低导通电阻（典型值为 3.5mΩ），这使得其传导损耗极低，非常适合用于高效率的应用场景。此外，该器件的快速开关能力减少了开关损耗，并提高了系统的整体效能。
器件还具备优异的热性能和高鲁棒性，可承受短路状况下的高电流冲击。内部结构设计优化了栅极驱动需求，降低了驱动功率损失。同时，QFN 封装确保了良好的散热特性和较小的占板面积，适用于紧凑型设计。
L2SA1774QT1G 还通过了多项严格的质量和可靠性测试，确保其能够在恶劣环境下长期可靠运行。
L2SA1774QT1G 广泛应用于 DC-DC 转换器、同步整流电路、电机驱动电路、负载开关以及电池管理系统等领域。其低导通电阻和快速开关特性特别适合于高频率开关应用，如笔记本电脑适配器、通信电源、服务器电源和电动车充电设备等。
此外，该器件在工业自动化控制、家用电器以及 LED 驱动电源中的表现也十分出色。凭借其高效率和高可靠性，L2SA1774QT1G 成为许多工程师在功率转换和电机控制领域中的首选解决方案。
L2SA1773QT1G
IRF7734
FDP5570
STP70NF06LL
