时间：2025/8/13 13:36:49
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L2N7002KX4T5G是一款常见的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于开关和放大应用。该器件采用SOT-23封装，适用于各种电子设备和电路设计。L2N7002KX4T5G的高可靠性和低导通电阻使其成为许多电源管理和信号切换应用的理想选择。
类型：N沟道MOSFET
封装类型：SOT-23
最大漏源电压(Vds)：60V
最大漏极电流(Id)：110mA
导通电阻(Rds(on))：5Ω
栅极阈值电压(Vgs(th))：1V~2.5V
最大功耗(Pd)：300mW
工作温度范围：-55°C至150°C
L2N7002KX4T5G具有多项显著特性，使其在各种电子电路中表现出色。首先，其低导通电阻确保在导通状态下能够传输较大的电流，同时减少功率损耗。其次，该MOSFET的高击穿电压（60V）使其能够承受较高的电压应力，适用于多种电源管理应用。此外，L2N7002KX4T5G采用SOT-23封装，体积小巧，便于集成在高密度电路中。其稳定的栅极阈值电压范围（1V~2.5V）使得该器件能够与各种控制电路兼容，确保可靠的操作。最后，该器件具有良好的热稳定性和抗干扰能力，适用于恶劣的工作环境。
L2N7002KX4T5G广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：1. 开关电路：由于其低导通电阻和高击穿电压，L2N7002KX4T5G常用于各种开关电路中，如电源开关、负载开关和信号开关。2. 放大器设计：该MOSFET适用于小信号放大电路，能够提供稳定的增益和低噪声性能。3. 电源管理：在便携式设备和低功耗系统中，L2N7002KX4T5G可用于电池管理和电源切换。4. 工业控制：该器件可用于工业自动化系统中的信号控制和执行机构驱动。5. 通信设备：L2N7002KX4T5G适用于通信模块中的信号处理和电源调节。
2N7002, 2N7002K, BSS138, FDV301N, NDS7002A
